[发明专利]存储器装置及其操作方法

说明书

本发明提供一种存储器装置及其操作方法。存储器装置包括一存储器，一温度传感器和一控制电路。该温度传感器感测该存储器的温度并产生温度感测信号。该控制电路耦接到该存储器和该温度传感器。该控制电路对该存储器进行存取操作，并根据该温度感测信号，参考延迟曲线改变该存取操作的频率。

技术领域

本发明涉及一种电子装置，尤其涉及一种存储器装置及其操作方法。

背景技术

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)设备持续成为电子系统中存储信息的首选存储器。由于漏电流在低温时较小，所以当存储器装置的温度低于预定温度时，存储器装置的控制器则减少存储器装置的刷新频率(Refresh Frequency)以降低功率消耗(Power Consumption)。然而，如果存储器装置的温度在预定温度附近频繁变化，不稳定的温度可能会造成系统当机。为了避免系统当机而选择不随着存储器设备的温度来改变存储器设备的刷新频率时，却会导致存储器设备的功率消耗增加。

发明内容

本发明提供一种存储器装置及其操作方法，通过该存储器装置及其操作方法可同时实现存储器装置的高可靠性和低功耗的效能。

本发明的存储器装置包括存储器、温度传感器和控制电路。温度传感器感测存储器的温度并产生温度感测信号。控制电路耦接存储器和温度传感器。当控制电路对存储器进行存取操作时，根据该温度感测信号，参考延迟曲线(Delay Curve)改变该存取操作的频率。

在本发明的一实施例中，当上述存储器的温度从高于第一阈值的温度改变为低于第一阈值的温度时，控制电路降低存取操作的频率，并且当存储器的温度从低于第二阈值的温度变为高于第二阈值的温度，则增加存取操作的频率，其中第一阈值小于第二阈值。

在本发明的一实施例中，温度传感器包括迟滞比较器(Hysteresis Comparator)、第一电阻和第二电阻。迟滞比较器的负输入端用以接收阈值电压(Threshold Voltage)。第一电阻耦接迟滞比较器的正输入端与温度感测电压。第二电阻耦接迟滞比较器的正输入端和迟滞比较器的输出端，以及迟滞比较器的输出端输出温度感测信号。

在本发明的一实施例中，存取操作包括刷新操作(Refresh Operation)。

在本发明的一实施例中，存储器装置还包括存储装置，存储该温度感测信号。

在本发明的一实施例中，存储装置还包括多用途寄存器(Multi-purposeRegister)。

本发明的一实施例的提供了一种存储器装置的操作方法，包括以下步骤:感测存储器的温度并生成温度感测信号。并根据该温度感测信号，参考延迟曲线(Delay Curve)改变该存取操作的频率。

在本发明的一实施例中，存储器装置的操作方法包括以下步骤:当该存储器的温度从高于第一阈值的温度改变为低于该第一阈值的温度时，降低该存取操作的频率。当该存储器的温度从低于第二阈值的温度改变为高于该第二阈值的温度时，增加该存取操作的频率，其中该第一阈值小于该第二阈值。

在本发明的一实施例中，存储器装置的操作方法包括将该温度感测信号存储到存储装置的步骤。

在本发明的一实施例中，存储装置包括多用途寄存器。

基于上述，在本发明的实施例中，控制电路根据该温度感测信号，参考延迟曲线(Delay Curve)改变该存取操作的频率，以避免当存储器装置的温度在预定温度附近频繁地改变以至于改变存取操作的频率过于频繁，并因此同时实现存储器装置的高可靠性和低功耗的功效。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举一些实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明