[发明专利]一种超晶格结构热功能陶瓷材料及其制备方法与应用有效

专利信息
申请号: 201811534473.4 申请日: 2018-12-14
公开(公告)号: CN109659426B 公开(公告)日: 2020-12-22
发明(设计)人: 冯晶;李淑慧;葛振华;师晓莉 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: H01L35/22 分类号: H01L35/22;H01L35/34;C04B35/453
代理公司: 昆明知道专利事务所(特殊普通合伙企业) 53116 代理人: 谢乔良;张玉
地址: 650500 云南*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 一种 晶格 结构 功能 陶瓷材料 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种超晶格结构热功能陶瓷材料的制备方法,其特征在于所述超晶格结构热功能陶瓷材料是以氧化铟、氧化镓和氧化锌作为前驱粉体,采用固相合成法制备得到粉体InGaZnkOk+3,然后经压片、保温、研磨过筛和烧结制备得到InGaZnkOk+3陶瓷块体,即为超晶格结构热功能陶瓷材料,具体为:

1)按照InGaZnkOk+3的化学计量比称取氧化铟、氧化锌和氧化镓,在无水乙醇中混合后,置于球磨机中以300r/min球磨300min;

2)将球磨好的溶液置于干燥箱中,温度为70℃,干燥时间为12h;

3)将所得的干燥粉末研磨并过300目筛,置于模具内压制成型;

4)将压得的片状材料置于高温马弗炉中,1473~1623K下保温2~5h;

5)将烧结后的片状材料研磨并再次过300目筛,采用放电等离子烧结技术在1173~1273K、10~40MPa压力下烧结1~20min,得到超晶格结构热功能陶瓷材料;

所述超晶格结构热功能陶瓷材料具有层状超晶格结构,具有半导体和绝缘体性质,是由InO2-层和GaO+(ZnO)k层沿c轴交替堆叠形成超晶格结构的氧化物;所述超晶格结构热功能陶瓷材料的致密度为78%~84%。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于所述的氧化铟、氧化镓和氧化锌的摩尔比为1:1:2。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于所述的氧化铟、氧化镓和氧化锌的摩尔比为1:1:6。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于所述的氧化铟、氧化镓和氧化锌的摩尔比为1:1:10。

5.一种根据权利要求1~4任一所述制备方法制备的超晶格结构热功能陶瓷材料。

6.一种根据权利要求5所述超晶格结构热功能陶瓷材料在制备电热传输产品中的应用。

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