[发明专利]氧化物光学元件化学机械抛光后残留物清洗剂及其制备方法在审
| 申请号： | 201811523905.1 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN109576090A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 方媛媛;黄海卫;王哲;顿爱欢;徐学科;贺洪波;邵建达 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所;上海恒益光学精密机械有限公司 |
| 主分类号： | C11D7/26 | 分类号： | C11D7/26;C11D7/32;C11D7/60 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 张宁展 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 清洗剂 化学机械抛光 光学元件 氧化物 去除 配方 六亚甲基四胺 乙二胺四乙酸 有机物残留 腐蚀元件 聚丙烯酸 聚乙二醇 磨料颗粒 无水乙醇 摩尔数 抛光液 稳定剂 氧化硅 氧化铈 有机碱 氧化铝 树脂 面形 配比 制备 沥青 残留 | ||
【权利要求书】：
1.一种氧化物光学元件化学机械抛光后残留物清洗剂，其特征在于，该清洗剂摩尔数配比：60％～70％无水乙醇、10～15％聚乙二醇，3％～5％乙二胺四乙酸，4％～10％六亚甲基四胺，3％～5％有机碱AMP95和2％～10％聚丙烯酸。
2.根据权利要求1所述氧化物光学元件化学机械抛光后残留物清洗剂，其特征在于，该清洗剂包括60％无水乙醇，15％聚乙二醇，5％乙二胺四乙酸，10％六亚甲基四胺，5％有机碱AMP95和5％聚丙烯酸。
3.权利要求1或2所述氧化物光学元件化学机械抛光后残留物清洗剂的制备方法，其特征在于，按照上述配比，室温下将无水乙醇和聚乙二醇搅拌均匀后，依次加入乙二胺四乙酸、六亚甲基四胺、有机碱AMP95和聚丙烯酸，一边加料一边搅拌，直到混合液中无沉淀。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海光学精密机械研究所;上海恒益光学精密机械有限公司，未经中国科学院上海光学精密机械研究所;上海恒益光学精密机械有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811523905.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：PCB板超声碳氢清洗剂及其使用方法
- 下一篇：一种黄瓜香皂及制备方法
