[发明专利]一种纳米金阵列传感器及其检测方法与应用有效
| 申请号： | 201811523230.0 | 申请日： | 2018-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN109612953B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 张卓勇;黄丽娟 | 申请（专利权）人： | 北京远大恒通科技发展有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/31 | 分类号： | G01N21/31;G01N21/27 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李静 |
| 地址： | 100085 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 阵列 传感器 及其 检测 方法 应用 | ||
1.一种纳米金阵列传感器，其特征在于，包括第一传感单元和第二传感单元；
所述第一传感单元包括，A1:纳米金溶液；和B1:氨基酸溶液；
所述第二传感单元包括，A2：核苷酸修饰的纳米金溶液；和B2：金属离子溶液；
所述氨基酸为精氨酸和半胱氨酸中的至少一种；
所述核苷酸为A30、T30、C30、A21、T21、C21、T15、C15中的一种，其中，A30：5’-AAA AAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAA AAA-3’，T30：5’-TTT TTT TTTTTTTTTTTTTTTTTTTTT TTT-3’，C30：5’-CCC CCC CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC CCC-3’,A21：5’-AAA AAA AAAAAAAAAAAAAAA-3’，T21：5’-TTT TTT TTTTTTTTTTTTTTT-3’，C21：5’-CCC CCC CCCCCCCCCCCCCCC-3’，T15：5’-TTT TTT TTTTTTTTT-3’，C15：5’-CCC CCC CCCCCCCCC-3’；
所述金属离子溶液为含有如下金属离子Cd2+、Co2+、Cr3+和Pb2+中的至少一种的溶液。
2.根据权利要求1所述的阵列传感器，其特征在于，所述第一传感单元中，所述氨基酸溶液为包括至少2个浓度水平的系列氨基酸溶液。
3.根据权利要求2所述的阵列传感器，其特征在于，所述氨基酸溶液为10个浓度水平的所述系列氨基酸溶液；所述纳米金溶液和所述系列氨基酸溶液的摩尔比为1:100-1000。
4.根据权利要求1所述的阵列传感器，其特征在于，所述氨基酸为精氨酸。
5.根据权利要求1或2所述的阵列传感器，其特征在于，所述纳米金的粒径为5-50nm。
6.根据权利要求5所述的阵列传感器，其特征在于，所述纳米金的粒径为13nm。
7.根据权利要求1所述的阵列传感器，其特征在于，所述第二传感单元中，所述金属离子溶液为包括至少2个浓度水平的系列金属离子溶液。
8.根据权利要求1所述的阵列传感器，其特征在于，所述金属离子溶液为10个浓度水平的系列金属离子溶液；所述核苷酸修饰的纳米金溶液和所述系列金属离子溶液的摩尔比为1:100-1000。
9.根据权利要求1所述的阵列传感器，其特征在于，所述金属离子为Cr3+。
10.根据权利要求1或2或4所述的阵列传感器，其特征在于，所述传感器的检测限为μmol·L-1。
11.根据权利要求10所述的阵列传感器，其特征在于，所述检测限为1.8-1.9μmol·L-1。
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