[发明专利]一种单晶炉用导流筒外屏高度的调节方法及导流筒外屏和导流筒有效

专利信息
申请号: 201811523203.3 申请日: 2018-12-13
公开(公告)号: CN109554750B 公开(公告)日: 2023-07-14
发明(设计)人: 廖寄乔;石磊;李军;刘学文;谭周建;李丙菊;王跃军;龚玉良 申请(专利权)人: 湖南金博碳素股份有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B29/06
代理公司: 益阳市银城专利事务所(普通合伙) 43107 代理人: 陈禧
地址: 413000 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 单晶炉用 导流 筒外屏 高度 调节 方法
【说明书】:

发明公开了一种可调节导流筒外屏高度的单晶炉用导流筒外屏高度的调节方法,其特征是它包括以下步骤:⑴将外屏分割切断成上外屏、下外屏;⑵制备连接筒,⑶用工装将上外屏、下外屏和连接筒组装成外屏,在上外屏与上外屏连接部之间、下外屏与下外屏连接部之间钻螺孔;⑷将螺钉旋入螺孔,使上外屏、连接筒和下外屏连接成一体;相应内屏包括上内屏、下内屏,上内屏连接部的外径为下内屏连接部的内径,上内屏连接部可在下内屏连接部内滑动;本发明方法可靠,结构简单,导流筒的外屏、内屏采用模块化组装,具有高度可调的特点,可满足不同热场的需要,还能单独更换,节约成本。

技术领域

本发明涉及一种单晶炉热场零件,具体地说是一种单晶炉用导流筒,特别是涉及一种可调节导流筒外屏高度的单晶炉用导流筒外屏高度的调节方法及导流筒外屏和导流筒。

背景技术

导流筒是单晶硅拉制炉热场系统的关键元件之一,主要用于控制热场的轴向温度梯度和引导氩气流。导流筒阻隔单晶炉体以及熔硅对晶体的热辐射,利于晶体散热,形成晶体生长所需的温度梯度,以提高晶体生长速度;引导由单晶炉顶从上向下吹的氩气集中地喷吹到固液界面附近,维持其清洁度,同时更加有利于晶体散热,加大晶体生长所需的温度梯度,以提高晶体生长速度;对高温硅熔体起保温作用,节约能源。目前,导流筒的外屏一般采用碳/碳复合材料,其具有高强度、耐冲刷、寿命长、安全可靠等特点。虽说内屏一般为石墨材质,但由于其所处环境清洁、安全,也有较长的使用寿命。

近几年,单晶炉热场大尺寸化的速度越来越快,为了尽可能的利用现有设备,单晶厂商充分挖掘热场潜能,通过新材料的应用,不断升级扩容,增加投料量。其中一种方法是通过增加轴向空间来加高坩埚。由于导流筒与坩埚属匹配关系,因此,导流筒的高度也要随坩埚的增高而增高。这样,导流筒的外屏与内屏往往在失效前就因热场升级扩容而遭淘汰,形成了巨大的浪费。

发明内容

本发明的目的是提供一种可调节导流筒外屏高度的单晶炉用导流筒外屏高度的调节方法及导流筒外屏和导流筒。

本发明是采用如下技术方案实现其发明目的的,一种单晶炉用导流筒外屏高度的调节方法,它包括以下步骤:

⑴将外屏上部直壁段沿同一高度位置分割切断成上外屏、下外屏;

⑵制备连接筒,所述连接筒为圆筒状,外表面设有环状凸起,凸起的轴向长度为外屏需增加的高度,凸起的径向长度为外屏的厚度,凸起的两端分别为上外屏连接部、下外屏连接部;

⑶用工装将上外屏、下外屏和连接筒组装成外屏,在上外屏与上外屏连接部之间、下外屏与下外屏连接部之间钻螺孔;

为连接紧固,本发明在步骤⑶中,钻螺孔时,由外屏外侧往外屏中心侧钻,且留1~2圈螺纹不钻透。

⑷将螺钉旋入螺孔,使上外屏、连接筒和下外屏连接成一体。

为增加表层一致性,本发明在步骤⑷后,将组装后外屏的外表面整体表涂。

一种导流筒外屏,它包括上外屏、连接筒、下外屏,所述连接筒为圆筒状,外表面设有环状凸起,凸起的轴向长度为外屏需增加的高度,凸起的径向长度为外屏的厚度,凸起的两端分别为上外屏连接部、下外屏连接部;上外屏与上外屏连接部之间、下外屏与下外屏连接部之间通过螺钉连接成一体。

一种采用上述导流筒外屏的导流筒,它包括内屏,所述内屏包括上内屏、下内屏,上内屏下部设有上内屏连接部,下内屏上部设有下内屏连接部,均为轴向直壁段,上内屏连接部的外径为下内屏连接部的内径,上内屏连接部可在下内屏连接部内滑动。

一种单晶炉用导流筒外屏高度的调节方法,它包括以下步骤:

⑴将外屏上部直壁段沿同一高度位置分割切断,保留下外屏;

⑵按需增加的高度制备增高筒,所述增高筒上部为法兰,下部设有连接部;

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