[发明专利]一种AXI总线访问NAND FLASH的方法及装置

说明书

本发明属于集成电路设计技术领域，涉及一种AXI(Advanced extensible interface高性能可扩展接口)总线访问NAND FLASH(NAND闪存)的方法及装置，将AXI读操作转换为所需的两相位NAND存取命令，通过NAND控制器对NAND FLASH进行存取操作，而对于非NAND数据存取的总线传输，可直接进行透传的实现方法，从而大大提高了对NAND FLASH的访问效率。

技术领域

本发明属于集成电路设计技术领域，涉及一种AXI总线访问NAND FLASH的方法及装置。

背景技术

随着集成电路的不断发展，NAND FLASH和NORFLASH作为两种主要的非易失性存储器，被应用于各种嵌入式系统。其中NAND FLASH主要优点在于存储密度高、容量大，有更占优势的存储性价比。

传统情况下对NAND FLASH的访问，因为自身NAND FLASH其独特的读写方式，软件访问需多次调用命令函数，软件资源消耗大，访问效率低。如若程序要直接从NAND FALSH执行，不仅效率低下，且占用内存更大。

发明内容

为了解决上述背景中提及的问题，本发明提供了一种AXI总线访问NAND FLASH的方法及装置，采用纯硬件的方式，实现NAND FLASH硬件自启动，从而提高了对NAND FLASH的访问效率，且内存占用大大减小。

第一方面，本发明实施例提供了一种AXI总线访问NAND FLASH的方法，包括：

对AXI总线的读地址总线的地址进行判断；

若所述地址属于NAND FLASH，则将所述AXI总线上的一次读操作转化为对NAND控制器的一次写操作和一次读操作；

通过所述NAND控制器的一次读操作读回数据，并将所述数据发送至所述AXI总线。

可选的，若所述地址不属于NAND FLASH，则执行透传操作。

可选的，所述对AXI总线的读地址总线的地址进行判断，具体包括：

通过对所述AXI总线的读地址总线的地址进行地址范围的判断，若所述AXI总线的读地址总线的地址在所述地址范围内，则所述地址属于NAND FLASH；若所述AXI总线的读地址总线的地址不在所述地址范围内，则所述地址不属于NAND FLASH。

可选的，所述将AXI总线上的一次读操作转化为对NAND控制器的一次写操作和一次读操作，由状态机进行实现，所述状态机至少包括写地址状态、写数据状态、写响应状态、写等待状态、读地址状态和读数据状态，其中：

在写地址状态下，当所述AXI总线上的写地址通道READY信号为高时，则写地址操作完成，所述状态机将跳转至写数据状态；当所述AXI总线上的写地址通道READY信号为低时，则所述状态机保持在所述写地址状态；

在写数据状态下，当所述AXI总线上的写数据通道READY信号为高时，则所述AXI总线的写数据通道完成传输写数据的准备工作，所述状态机将跳转至写响应状态；当所述AXI总线上的写数据通道READY信号为低时，则所述状态机保持在写数据状态下；

在写响应状态下，当所述AXI总线上的写响应有效信号为高时，则写数据操作已完成，所述状态机将跳转至写等待状态；当所述AXI总线上的写响应有效信号为低时，则所述状态机保持在写响应状态下；

在写等待状态下，当所述NAND FLASH上的写BUSY信号拉低时，则NAND FLASH传输路径空闲，可进行后续信息传输，所述状态机将跳转至读地址状态；当所述NAND FLASH上的写BUSY信号拉高时，则所述状态机保持在写等待状态下；