[发明专利]一种横向元器件制样研磨方法有效

专利信息
申请号: 201811509557.2 申请日: 2018-12-11
公开(公告)号: CN109580305B 公开(公告)日: 2021-06-18
发明(设计)人: 廉鹏飞;刘相全;孔泽斌;罗宇华;杨亮亮;刘伟鑫;楼建设;徐导进 申请(专利权)人: 上海精密计量测试研究所;上海航天信息研究所
主分类号: G01N1/28 分类号: G01N1/28
代理公司: 上海航天局专利中心 31107 代理人: 余岢
地址: 201109 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 横向 元器件 研磨 方法
【权利要求书】:

1.一种横向元器件制样研磨的方法,其特征在于,采用横向制样并进行横向研磨,在样品的宽度和高度两个方面同时优化效率,包括步骤如下:

步骤一、根据元器件的高度首先确定样品高度,并在制样前于模具内侧标记第一高度即元器件底面高度,以及第二高度即样品的上表面高度,确保元器件位于样品高度上的中心;

步骤二、按要求配置环氧树脂,并将环氧树脂加至模具内的第一高度处;

步骤三、待环氧树脂固化后,将元器件横向置于其表面的正中心处;

步骤四、再次将环氧树脂加至第二高度,此时元器件位于样品高度上中心;

步骤五、固化后完成制样;

步骤六、使用粗砂纸进行样品横向粗磨,直至元器件基板出现;

步骤七、精磨;

步骤八、抛光。

2.如权利要求1所述的一种横向元器件制样研磨的方法,其特征在于,所述步骤七中,使用细砂纸进行精磨,直至形貌达到最佳观测效果。

3.如权利要求1所述的一种横向元器件制样研磨的方法,其特征在于,所述步骤八中,用抛光液及相匹配的抛光布抛光,直至形貌达到最佳观测效果。

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