[发明专利]支持高速缓存的物理地址验证的存储装置及操作其的方法有效
申请号: | 201811454417.X | 申请日: | 2018-11-30 |
公开(公告)号: | CN110175138B | 公开(公告)日: | 2023-07-21 |
发明(设计)人: | 金东佑;卢载善;尹松虎;李京伯;郑郁翰 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G06F12/0873 | 分类号: | G06F12/0873;G06F12/1009 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 王凯霞;张川绪 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 支持 高速缓存 物理地址 验证 存储 装置 操作 方法 | ||
1.一种存储装置,包括:
解扰模块,从外部装置接收读取命令,并被配置为:将包括逻辑区块地址信息和第一元信息的读取命令的至少部分解扰为第一签名信息和用于访问存储器的第一物理地址信息;
比较模块,与所述解扰模块连接,并被配置为:比较第一签名信息与存储的签名信息,从而确定第一签名信息与存储的签名信息之间相等还是不等;
访问模块,与所述比较模块连接,并被配置为:在所述比较模块确定相等时,使用第一物理地址信息来访问存储器的数据区域;以及
垃圾回收模块,与元区域连接,并被配置为:在对数据区域的至少部分执行垃圾回收时,改变第一元区域签名信息的值或第二元区域签名信息的值,
其中,存储器是闪存;
其中,存储的签名信息是第二签名信息;
其中,闪存包括存储第二签名信息的元区域;
其中,元区域包括:第一元区域和第二元区域;
其中,第一元区域存储关于第一逻辑区块地址集合的第一元区域签名信息,第二元区域存储关于与第一逻辑区块地址集合不同的第二逻辑区块地址集合的第二元区域签名信息;
其中,根据逻辑区块地址信息的值,第二签名信息等于第一元区域签名信息或第二元区域签名信息;
其中,闪存还包括:存储全局签名信息的全局签名信息存储区域;并且
其中,所述垃圾回收模块还被配置为:当(ⅰ)第一元区域签名信息的值或第二元区域签名信息的值被改变且发生溢出以及(ⅱ)所述垃圾回收模块将全局签名信息的值改变为另外的值时,将改变的第一元区域签名信息的值或改变的第二元区域签名信息的值重置。
2.根据权利要求1所述的存储装置,其中,所述访问模块还被配置为:在所述比较模块确定不等时,从存储器加载第二物理地址信息,并使用第二物理地址信息来访问数据区域。
3.根据权利要求1所述的存储装置,其中,所述解扰模块使用全局签名信息对第一元信息进行解扰。
4.根据权利要求1所述的存储装置,还包括:
加扰模块,与元区域连接,并被配置为:使用全局签名信息来对第二签名信息和与第二签名信息相关联的第二物理地址信息进行加扰,从而生成第二元信息。
5.根据权利要求1所述的存储装置,还包括:
写映射缓存管理模块,从外部装置接收写入命令,并被配置为:当从主机接收到写入命令时,使用写映射缓存表来管理与包括在写入命令中的逻辑区块地址信息相关联的物理地址信息和签名信息。
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