[发明专利]有机发光二极管显示装置

权利要求书

1.一种有机发光二极管OLED显示装置，包括：

显示面板，其包括以矩阵形式排列以显示图像的多个OLED像素，并且

其中，所述多个OLED像素各自包括：

开关薄膜晶体管TFT，其响应于通过栅极线输入的扫描信号切换从数据线提供的数据电压通路；

驱动TFT，其根据从所述开关TFT提供的数据电压的幅度导通，以控制从OLED发出的光的量；以及

可变存储电容器，其连接至所述驱动TFT的栅电极，并且具有根据施加至所述驱动TFT的栅电极的电压的幅度而变化的电容，

其中，所述可变存储电容器的电容在数据电压通过所述开关TFT被输入和采样并且被输入至所述驱动TFT的栅极端子的时段期间逐渐增加，并且在所述驱动TFT导通并且所述OLED保持发光和发光状态的时段期间逐渐减少。

2.根据权利要求1所述的OLED显示装置，其中，

所述可变存储电容器形成在所述驱动TFT的栅极端子和高电位或低电位电压供应端子之间，使得存储电容响应于所述驱动TFT的所述栅极端子和所述高电位或低电位电压供应端子之间的电压差而实时变化。

3.根据权利要求2所述的OLED显示装置，其中，

所述可变存储电容器包括依次堆叠在基板上的氧化物半导体层、栅极绝缘膜和导电电极层，并且

所述导电电极层电连接至所述驱动TFT的所述栅极端子，并且所述氧化物半导体层电连接至所述高电位或低电位电压供应端子。

4.根据权利要求2所述的OLED显示装置，其中，

所述驱动TFT是其中有源层由低温多晶硅LTPS制成并且在基板上以共面结构形成的LTPS型TFT，并且

所述可变存储电容器包括依次堆叠在所述基板上的氧化物半导体层、栅极绝缘层和导电电极层，并且形成为与所述驱动TFT交叠预定区域。

5.根据权利要求1所述的OLED显示装置，其中，

所述可变存储电容器形成在所述驱动TFT的栅极端子和电容器电压输入电路之间，使得存储电容响应于所述驱动TFT的所述栅极端子和所述电容器电压输入电路之间的电压差而实时变化，或者

所述可变存储电容器形成在所述驱动TFT的栅极端子和参考电压输入端子之间，使得存储电容响应于所述驱动TFT的所述栅极端子和所述参考电压输入端子之间的电压差而实时变化。

6.一种有机发光二极管OLED显示装置，包括：

显示面板，其包括以矩阵形式排列以显示图像的多个OLED像素，

其中，所述多个OLED像素各自包括：

开关薄膜晶体管TFT，其响应于通过栅极线输入的扫描信号切换从数据线提供的数据电压通路；

驱动TFT，其根据从所述开关TFT提供的数据电压的幅度导通，以控制从OLED发出的光的量；

可变存储电容器，其连接至所述驱动TFT的栅电极，并且具有根据施加至所述驱动TFT的所述栅电极的电压的幅度而变化的电容；以及

固定电容器，其具有比所述可变存储电容器小的固定电容，并且并联连接至所述可变存储电容器。

7.根据权利要求6所述的OLED显示装置，其中，

所述固定电容器包括所述驱动TFT的所述栅电极和导电电极层，所述导电电极层与所述驱动TFT的所述栅电极的至少部分区域交叠，栅极绝缘膜位于所述导电电极层与所述驱动TFT的所述栅电极之间，并且

所述导电电极层电连接至高电位或低电位电压供应端子。

8.根据权利要求6所述的OLED显示装置，其中，

所述驱动TFT是其中有源层由低温多晶硅LTPS制成并且在基板上以共面结构形成的LTPS型TFT，并且

所述可变存储电容器包括所述驱动TFT的所述栅电极和导电电极层，所述导电电极层与所述驱动TFT的所述栅电极的至少部分区域交叠，栅极绝缘膜位于所述导电电极层与所述驱动TFT的所述栅电极之间，并且所述可变存储电容器形成为与所述驱动TFT交叠预定区域。