[发明专利]显示装置在审
| 申请号： | 201811442376.2 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN110068966A | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 申东熹;宋炯真;罗柄善;罗釉美;全秀洪 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1343 | 分类号： | G02F1/1343 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;韩芳 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 叠置 栅极线 显示装置 漏电极 栅电极 基底 存储电极 方向延伸 像素电极 数据线 源电极 方向交叉 电连接 绝缘 延伸 | ||
1.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一基底；
栅极线，在所述第一基底上沿着第一方向延伸；
数据线，设置在所述第一基底上，与所述栅极线绝缘，并沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸；
栅电极，从所述栅极线突出；
源电极，从所述数据线延伸；
漏电极，与所述源电极间隔开；
像素电极，电连接到所述漏电极；以及
存储电极，与所述栅极线和所述栅电极间隔开，
其中，所述漏电极包括与所述栅电极叠置的第一叠置部分以及与所述存储电极叠置的第二叠置部分，并且
所述第二叠置部分与所述像素电极的至少一部分叠置。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述漏电极还包括从所述第二叠置部分延伸并且未与所述存储电极和所述栅电极叠置的非叠置部分。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述非叠置部分包括：
第一非叠置部分，设置在所述第一叠置部分与所述第二叠置部分之间；以及
第二非叠置部分，在远离所述第一非叠置部分的方向上延伸。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述漏电极具有“I”形状。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一叠置部分在所述第一方向上具有3μm至5μm的长度，并且所述第二叠置部分在所述第一方向上具有20μm至40μm的长度。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，与所述存储电极叠置的所述第二叠置部分的长度随着离开所述第一叠置部分的距离的增加而增加。
7.根据权利要求4所述的显示装置，其中，与所述存储电极叠置的所述第二叠置部分的至少一部分的长度随着离开所述第一叠置部分的距离的增加而逐渐增加。
8.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述非叠置部分包括：
第一非叠置部分，从所述第一叠置部分延伸，并且未与所述像素电极叠置；以及
第二非叠置部分，与所述像素电极的至少一部分叠置。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述漏电极是弯曲的。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第一叠置部分在所述第二方向上具有3μm至5μm的长度，并且所述第二叠置部分在所述第一方向上具有20μm至40μm的长度。
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