[发明专利]基于逻辑区域的流分类

说明书

半导体封装装置的实施例可以包括确定对持久存储介质的存取请求的流分类并且基于流分类将存取请求分配给流的技术。公开并要求保护其他实施例。

技术领域

实施例总体上涉及存储系统。更具体地，实施例涉及基于逻辑区域的流分类。

背景技术

快速非易失性存储器(NVMe)标准(例如，NVMe修订版1.3，2017年5月1日公布)定义了允许主机与非易失性存储器(NVM)子系统通信的接口。NVMe接口对于企业和客户端固态驱动器(SSD)可能特别有用，其可以作为到快速外围组件接口(PCI)接口的寄存器级接口附接到主机。NVMe可以提供流指示，该流指示使得主机能够向控制器指示(例如，利用流标识符)写入命令中的指定逻辑块是一组关联数据的一部分。控制器可以使用该信息将相关数据存储在相关联的位置，或者用于其他性能增强。

附图说明

通过阅读以下说明书和所附权利要求，并且参考以下附图，实施例的各种优点对于本领域技术人员将变得显而易见，其中：

图1是根据实施例的电子处理系统的示例的框图；

图2是根据实施例的半导体封装装置的示例的框图；

图3A至图3C是根据实施例的控制存储的方法的示例的流程图；

图4是根据实施例的存储控制器装置的示例的框图；以及

图5是根据实施例的电子处理系统的另一示例的框图。

具体实施方式

本文描述的各种实施例可以包括存储器组件和/或与存储器组件的接口。这样的存储器组件可以包括易失性存储器和/或非易失性存储器。非易失性存储器可以是不要求电力来维持介质存储的数据的状态的存储介质。在一个实施例中，存储器设备可以包括块可寻址存储器设备，例如，基于NAND或NOR技术的那些存储器设备。存储器设备还可以包括下一代非易失性设备，例如，三维(3D)交叉点存储器设备，或其他字节可寻址的原位写入非易失性存储器设备。在一个实施例中，存储器设备可以是或可以包括：使用硫属化物玻璃的存储器设备，多阈值级别NAND闪速存储器，NOR闪速存储器，单级或多级相变存储器(PCM)，电阻存储器，纳米线存储器，铁电晶体管随机存取存储器(FeTRAM)，反铁电存储器，包含忆阻器技术的磁阻随机存取存储器(MRAM)存储器，包括金属氧化物基极、氧空位基极和导电桥随机存取存储器(CB-RAM)的电阻存储器，或自旋转移力矩(STT)-MRAM，基于自旋电子磁结存储器的设备，基于磁隧道结(MTJ)的设备，基于DW(畴壁)和SOT(自旋轨道转移)的设备，基于晶闸管的存储器设备，或上述设备中的任何设备的组合，或其他存储器。存储器设备可以指管芯本身和/或封装的存储器产品。在特定实施例中，具有非易失性存储器的存储器组件可以符合联合电子设备工程委员会(JEDEC)颁布的一个或多个标准，例如，JESD218、JESD219、JESD220-1、JESD223B、JESD223-1或其他合适的标准(本文引用的JEDEC标准可在jedec.org处获得)。

易失性存储器可以是要求电力来维持由介质存储的数据的状态的存储介质。易失性存储器的非限制性示例可以包括各种类型的RAM，例如，动态随机存取存储器(DRAM)或静态随机存取存储器(SRAM)。可以在存储器模块中使用的一种特定类型的DRAM是同步动态随机存取存储器(SDRAM)。在特定实施例中，存储器组件的DRAM可以符合JEDEC颁布的标准，例如，用于DDR SDRAM的JESD79F、用于DDR2SDRAM的JESD79-2F、用于DDR3SDRAM的JESD79-3F、用于DDR4SDRAM的JESD79-4A、用于低功率DDR(LPDDR)的JESD209、用于LPDDR2的JESD209-2、用于LPDDR3的JESD209-3以及用于LPDDR4的JESD209-4(这些标准可在www.jedec.org处获得)。这些标准(和类似标准)可以被称为基于DDR的标准，并且实现这种标准的存储设备的通信接口可以被称为基于DDR的接口。