[发明专利]一种基于接触器的预充控制电路在审

专利信息
申请号: 201811436610.0 申请日: 2018-11-28
公开(公告)号: CN111245311A 公开(公告)日: 2020-06-05
发明(设计)人: 李辉;陈吉波 申请(专利权)人: 上海康巴赛特科技发展有限公司;上海航天汽车机电股份有限公司
主分类号: H02P6/21 分类号: H02P6/21;H02P29/024;H02P27/08
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 代理人: 应小波
地址: 201112 上海市闵*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 接触器 控制电路
【权利要求书】:

1.一种基于接触器的预充控制电路,其特征在于,包括电源(101)、逆变器外部继电器开关(102)、接触器主触点(103)、驱动系统(104)、电容预充电路(105)、MCU控制电路(106)和接触器线圈控制电路(107);

所述的电源(101)分别与外部继电器开关(102)和电容预充电路(105)连接,所述的接触器主触点(103)分别与逆变器外部继电器开关(102)、驱动系统(104)和接触器线圈控制电路(107)连接,所述的接触器线圈控制电路(107)分别与MCU控制电路(106)和驱动系统(104)连接,所述的电容预充电路(105)与驱动系统(104)连接。

2.根据权利要求1所述的一种基于接触器的预充控制电路,其特征在于,所述的电容预充电路(105)包括依次连接的钥匙开关K3、二极管D1和PTC限流电阻R10,所述的二极管D1的正极与钥匙开关K3一端连接,负极与PTC限流电阻R10一端连接,所述的PTC限流电阻R10另一端接在接触器主触点(103)和驱动系统(104)之间,所述的钥匙开关K3另一端与电源(101)连接。

3.根据权利要求1所述的一种基于接触器的预充控制电路,其特征在于,所述的驱动系统(104)包括MOS管M1、MOS管M2和电容C1,所述的MOS管M1和MOS管M2串联后并联在电容C1两端。

4.根据权利要求3所述的一种基于接触器的预充控制电路,其特征在于,所述的MOS管M1和MOS管M2均为NMOS管。

5.根据权利要求1所述的一种基于接触器的预充控制电路,其特征在于,所述的MCU控制电路(106)包括MCU、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C2和三极管Q1,所述的MCU通过电阻R2分别与电容C2一端、三极管Q1的基极连接,所述的MCU通过电阻R1与接触器线圈控制电路(107)连接,所述的三极管Q1的集电极通过电阻R3与接触器线圈控制电路(107)连接,所述的三极管Q1的发射极与接触器线圈控制电路(107)连接。

6.根据权利要求5所述的一种基于接触器的预充控制电路,其特征在于,所述的接触器线圈控制电路(107)包括PWM控制器、MOS管Q2、接触器线圈K2、光电耦合器K4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9和三极管Q3;

所述的PWM控制器分别与MCU控制电路(106)、电阻R5一端、光电耦合器K4一端连接,所述的电阻R5另一端与MOS管Q2的栅极连接,所述的MOS管Q2的漏极与MCU控制电路(106)连接,所述的MOS管Q2的源极与接触器线圈K2一端连接,所述的接触器线圈K2另一端分别与电阻R6一端、电阻R8一端和电阻R9一端连接,所述的电阻R6另一端与光电耦合器K4另一端连接,所述的电阻R8另一端分别与三极管Q3的基极和电阻R7一端连接,所述的三极管Q3的集电极分别与电阻R7另一端和接触器线圈K2一端连接,所述的三极管Q3的发射极与电阻R9另一端连接。

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