[发明专利]用于形成半导体器件结构的接合工艺

说明书

本发明提供一种用于形成半导体器件结构的方法。方法包括接收具有多个预定管芯区域的第一晶圆。方法还包括在第一晶圆中形成凹槽，且凹槽沿基本平行于所述预定管芯区域中一个预定管芯区域的边缘的方向延伸。方法还包括接收第二晶圆。另外，该方法包括在形成凹槽之后在升高的温度下接合第一晶圆和第二晶圆。本发明实施例涉及用于形成半导体器件结构的接合工艺。

技术领域

本发明实施例涉及用于形成半导体器件结构的接合工艺。

背景技术

半导体集成电路(IC)行业经历了快速增长。IC材料和设计中的的技术进步已经产生了几代IC。每代IC都有比上一代IC具有更小、更复杂的电路。随着IC的发展，功能密度(即，每芯片面积上互连器件的数量)通常会增加，而几何尺寸(即，可使用制造工艺来产生的最小部件(或线))减小。这种按比例缩小的工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。

已经开发出微机电系统(MEMS)器件。MEMS器件包括使用半导体技术制造的器件，以形成机械和电气部件。MEMS器件可包括用于实现机械功能的多个元件(诸如，可移动元件)。MEMS应用包括运动传感器、压力传感器，打印机喷嘴等。其他MEMS应用包括惯性传感器，诸如，用于测量线性加速度的加速度计和用于测量角速度的陀螺仪。此外，MEMS应用可扩展到光学应用(诸如，可移动镜子)以及射频(RF)应用(诸如，RF开关)等。

然而，这些进步增加了处理和制造IC的复杂性。诸如，在MEMS器件形成期间的接合工艺变得更难以执行。因此，以更小和更小尺寸形成可靠的半导体器件成为一种挑战。

发明内容

根据本发明的一些实施例，提供了一种用于形成半导体器件结构的方法，包括：接收具有多个预定管芯区域的第一晶圆；在所述第一晶圆中形成凹槽，其中，所述凹槽在平行于所述预定管芯区域中的一个预定管芯区域的边缘的方向上延伸；接收第二晶圆；以及在形成所述凹槽之后，接合并加热所述第一晶圆和所述第二晶圆。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种用于形成半导体器件结构的方法，包括：接收具有多个预定管芯区域的第一晶圆，其中，所述预定管芯区域通过多个预定划线彼此隔开；在所述预定划线中的一些预定划线中形成多个凹槽；接收第二晶圆；以及在形成所述凹槽之后，接合并加热所述第一晶圆和所述第二晶圆。

根据本发明的又一些实施例，还提供了一种用于形成半导体器件结构的方法，包括：接收第一晶圆；在所述第一晶圆中形成多个凹槽，以围绕所述第一晶圆的区域；接收第二晶圆；以及在形成所述凹槽之后，接合并加热所述第一晶圆和所述第二晶圆。

附图说明

当结合附图阅读时，从下面的详细描述可以最好地理解本发明的实施例。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各个部件没有按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以被任意增加或减少。

图1A-1F是根据一些实施例所述用于形成半导体器件结构的工艺的各个阶段的截面图。

图2是根据一些实施例所述用于形成半导体器件结构的工艺的中间阶段的俯视图。

图3是根据一些实施例所述用于形成半导体器件结构的工艺的中间阶段的俯视图。

图4是根据一些实施例所述用于形成半导体器件结构的工艺的中间阶段的俯视图。

图5是根据一些实施例所述用于形成半导体器件结构的工艺的中间阶段的俯视图。

图6是根据一些实施例所述用于形成半导体器件结构的工艺的中间阶段的俯视图。

图7是根据一些实施例所述用于形成半导体器件结构的工艺的中间阶段的俯视图。

图8是根据一些实施例所述用于形成半导体器件结构的工艺的中间阶段的截面图。

图9是根据一些实施例所述用于形成半导体器件结构的工艺的中间阶段的截面图。