[发明专利]非易失性存储器系统及其操作方法在审
申请号: | 201811431719.5 | 申请日: | 2018-11-27 |
公开(公告)号: | CN109933541A | 公开(公告)日: | 2019-06-25 |
发明(设计)人: | 金鼎勳;李荣息;卢羌镐 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 曾世骁;韩明星 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 映射存储 非易失性存储器系统 映射数据 映射存储器 存储 占用信息 非易失性存储器装置 易失性存储器装置 存储器控制器 用户数据存储 逻辑地址 物理地址 映射关系 主机装置 与非 | ||
一种非易失性存储器系统及其操作方法。为了操作包括非易失性存储器装置和存储器控制器的非易失性存储器系统,映射存储器被划分为多个映射存储区域,其中,所述映射存储器存储表示主机装置的逻辑地址与非易失性存储器装置的物理地址之间的映射关系的映射数据。提供表示所述多个映射存储区域中的每个映射存储区域中是否存储了映射数据的占用信息。基于所述占用信息,将用户数据存储在所述多个映射存储区域中的未存储映射数据的相应映射存储区域中。
本申请要求于2017年12月18日提交到韩国知识产权局(KIPO)的序列号为10-2017-0174083的韩国专利申请的优先权,所述申请的公开通过引用其整体合并于此。
技术领域
示例实施例总体上涉及半导体集成电路,并且更具体地讲,涉及一种非易失性存储器系统和操作所述非易失性存储器系统的方法。
背景技术
用于存储数据的半导体存储器装置可以分为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。诸如动态随机存取存储器(DRAM)装置的易失性存储器装置通常被配置为通过对存储器单元中的电容器充电或放电来存储数据,并且在电源关闭时丢失所存储的数据。诸如闪存存储器装置的非易失性存储器装置即使在电源关闭的情况下仍可以保留已存储的数据。易失性存储器装置广泛用作各种设备的主存储器,而非易失性存储器装置广泛用于在各种电子装置(诸如,计算机、移动装置等)中存储程序代码和/或数据。随着非易失性存储器装置的存储容量的增加,用于控制非易失性存储器装置的电路的尺寸和成本也随之增加。在存储器系统中,高速缓存存储器用于根据命令(诸如从主机输入的命令)进行读取或写入。随着存储器系统的存储容量增加,高速缓存存储器的存储容量和制造存储器系统的成本也会随之增加。
发明内容
一些示例实施例可提供一种非易失性存储器系统和控制非易失性存储器系统的方法,其中,所述非易失性存储器系统能够有效地利用被配置为控制非易失性存储器装置的存储器控制器中的存储资源。
根据示例实施例,一种操作包括非易失性存储器装置和存储器控制器的非易失性存储器系统的方法包括:将映射存储器划分为多个映射存储区域,其中,所述映射存储器存储表示从主机装置接收的逻辑地址与非易失性存储器装置的物理地址之间的映射关系的映射数据;提供表示所述多个映射存储区域中的每个映射存储区域中是否存储了映射数据的占用信息;以及基于所述占用信息,将用户数据存储在所述多个映射存储区域中的未存储映射数据的相应映射存储区域中。
根据示例实施例,一种非易失性存储器系统包括:非易失性存储器装置;映射存储器,占用状态管理器和控制器。映射存储器存储表示主机装置的逻辑地址与非易失性存储器装置的物理地址之间的映射关系的映射数据,所述映射存储器被划分为多个映射存储区域。占用状态管理器提供表示所述多个映射存储区域中的每个映射存储区域中是否存储了映射数据的占用信息。控制器基于所述占用信息将用户数据存储在所述多个映射存储区域中的未存储映射数据的相应映射存储区域中。
根据示例实施例,一种非易失性存储器系统包括:非易失性存储器装置;映射存储器,被配置为存储表示主机装置的逻辑地址与非易失性存储器装置的物理地址之间的映射关系的映射数据,其中,所述映射存储器被划分为多个映射存储区域;缓冲存储器,被配置为存储用户数据,其中,所述缓冲存储器在物理上与所述映射存储器区分开并被划分为多个缓冲区域;占用状态管理器,被配置为提供表示所述多个映射存储区域中的每个映射存储区域中是否存储了映射数据的占用信息;以及控制器,被配置为基于所述占用信息将用户数据存储在所述多个映射存储区域中的未存储映射数据的相应映射存储区域中。
根据示例实施例的非易失性存储器系统和操作非易失性存储器系统的方法可通过利用映射存储器的一部分作为高速缓存存储器来在不增加电路尺寸的情况下增强非易失性存储器系统的性能。
附图说明
从结合附图的以下详细描述,将更加清楚地理解本公开的示例实施例。
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