[发明专利]一种硅料烘干装置

说明书

本发明提供一种硅料烘干装置，其包括：壳体、设置于壳体内部的多个热风循环烘干工位和多个冷风循环冷却工位、转运系统，以及控制系统；控制系统内预设有控制指令；转运系统与控制系统电连接，用于接收控制系统发出的控制指令，并按照控制指令将装有硅料的料篮放入热风循环烘干工位或冷风循环冷却工位，或者从中取出；热风循环烘干工位用于采用热风循环吹扫的方式对放入其内的料篮中的硅料进行烘干处理；冷风循环冷却工位用于采用冷风循环吹扫的方式对放入其内的料篮中的硅料进行冷却处理。本发明利用热风循环烘干的方法，克服了目前多晶硅产品在烘干过程中使用微波烘干导致的烘干温度控制不均匀、烘干效果差、烘干产品生产效率低下等问题。

技术领域

本发明涉及硅生产技术领域，具体涉及一种硅料烘干装置。

背景技术

光伏发电是利用半导体界面的光生伏特效应而将光能直接转变为电能的一种技术。光伏能源由于具有无污染、无噪声、维护成本低、使用寿命长等优点，近年来得到了飞速发展。

为了便于光伏能源的推广应用，光伏行业亟需发展高效率、低成本的光伏电池与组件。在此情形之下，曾一度因成本过高而屈居边缘的单晶硅重返行业视野。单晶硅即硅的单晶体，其采用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。

目前，下游单晶企业的多晶硅用料主要以免洗料为主。对于单晶企业而言，在采购免洗料的同时，更加希望在免洗料的生产过程中降低免洗料产品的表体金属杂质含量。由于单晶企业对于免洗料的质量要求较为苛刻，对于多晶硅产品表体金属杂质的要求为小于30ppb，因此多晶硅企业生产免洗料时，在正常破碎后，需要对多晶硅产品进行清洗，以确保免洗多晶硅产品表体金属杂质含量满足要求。

对于多晶硅产品表体金属杂质的处理，目前行业内通用的做法是使用超声清洗和微波烘干。具体地，多晶硅产品的清洗烘干流程为：硅料超声波清洗→微波烘干→风切等待冷却→包装入库。

从行业内目前普遍采用的硅料清洗烘干过程来看，多晶硅在清洗后的微波烘干过程中极为不稳定。具体地，由于微波烘干过程中温度不受控，温度过高时会导致料篮发生融化，温度过低时会导致硅料未得到充分烘干。鉴于微波烘干设备的问题，导致硅料在清洗烘干时生产效率极低，清洗后需要重复烘干的现象较为突出，同时清洗后的硅料由于长时间的晾晒与外部环境接触，导致清洗硅料受到沾污，也存在部分硅料由于局部受热不均匀而导致的无法完全烘干的问题，造成清洗硅料产品质量下降，无法满足单晶客户的使用要求。

发明内容

为了至少部分解决现有技术中存在的技术问题而完成了本发明。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是：

本发明提供一种硅料烘干装置，其包括：壳体、设置于所述壳体内部的多个热风循环烘干工位和多个冷风循环冷却工位、转运系统，以及控制系统；所述控制系统内预设有控制指令；所述转运系统与所述控制系统电连接，用于接收所述控制系统发出的控制指令，并按照所述控制指令将装有硅料的料篮放入所述热风循环烘干工位或所述冷风循环冷却工位，或者从中取出；所述热风循环烘干工位用于采用热风循环吹扫的方式对放入其内的料篮中的硅料进行烘干处理；所述冷风循环冷却工位用于采用冷风循环吹扫的方式对放入其内的料篮中的硅料进行冷却处理。

可选地，所述热风循环烘干工位的数量与所述冷风循环冷却工位的数量相同；所述硅料烘干装置还包括设置于所述壳体内部的一个中转工位，所述中转工位用于料篮流转。

可选地，所述壳体的一端设置有进料口、相对另一端设置有出料口；所述多个热风循环烘干工位、所述中转工位和所述多个冷风循环冷却工位设置在所述进料口与所述出料口之间，并沿所述进料口至所述出料口的直线方向依次排列。

可选地，所述壳体的进料口处设置有用于料篮进入及隔离的气动门。

可选地，所述壳体的进料口处设置有用于清洗所述壳体内部的喷洗装置。