[发明专利]利用具有补偿的光信号来执行掩模图案测量的系统和方法

说明书

提供了一种利用具有补偿的光信号来执行掩模图案测量的系统和方法，所述系统包括：板，构造为用于在其上安装反射极紫外(EUV)掩模；以及波带片，构造为将EUV光分为零级光和第一级光，并构造为使零级光和第一级光传输到反射EUV掩模。系统还包括：检测器，构造为接收由反射EUV掩模反射的EUV光，并包括构造为产生第一图像信号的零级光检测区域和构造为产生第二图像信号的第一级光检测区域；以及计算器，构造为从第一图像信号和第二图像信号产生补偿的第三图像信号。第三图像信号可以用于确定反射EUV掩模的掩模图案之间的距离。

本申请要求于2018年2月1日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2018-0012802号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明构思涉及半导体装置处理设备及方法，更具体地，涉及用于掩模检查的成像设备及方法以及使用成像设备及方法制造的半导体装置。

背景技术

近来，半导体装置已经小型化并且已经在性能上得到改善。结果，半导体装置中包括的布线之间的间隔变得越来越窄。随着半导体装置中包括的布线之间的间隔变得较窄，用于使半导体基底上的布线图案化的掩模的检查的重要性增加了。

为了检查其上绘制有掩模图案的掩模，期望具有短波长的光源。极紫外(EUV)光可以用作具有短波长的光源。

如果在包括关于掩模图案的图像的信息的图像信号中发生波动，则掩模图案之间的间隔的测量会变得不准确。

发明内容

本发明构思的实施例提供能够提高反射EUV掩模的图像的准确度的成像系统以及使用这样的系统的成像方法。

根据本发明构思的一些实施例，系统包括：板，构造为用于在其上安装反射极紫外(EUV)掩模；以及波带片，构造为将EUV光分为零级光和第一级光，并构造为使零级光和第一级光传输到反射EUV掩模。系统还包括：检测器，构造为接收由反射EUV掩模反射的EUV光，并包括构造为产生第一图像信号的零级光检测区域和构造为产生第二图像信号的第一级光检测区域；以及计算器，构造为从第一图像信号和第二图像信号产生补偿的第三图像信号。

另外的实施例提供一种系统，所述系统包括：板，构造为用于在其上安装反射EUV掩模；以及波带片，构造为将EUV光分为零级光和第一级光，并且构造为使零级光和第一级光传输到反射EUV掩模。系统还包括检测器，构造为分别检测由反射EUV掩模反射的零级EUV光和由反射EUV掩模反射的第一级EUV光。

根据一些方法实施例，检测从包括彼此分隔开的第一掩模图案和第二掩模图案的反射EUV掩模反射的EUV光。产生与由反射EUV掩模反射的零级光和第一级光对应的各个第一图像信号和第二图像信号。从第一图像信号和第二图像信号产生第三图像信号。使用第三图像信号确定第一掩模图案和第二掩模图案之间的距离。使用反射EUV掩模在基底上形成图案。

附图说明

通过参照附图详细描述本发明构思的示例性实施例，本发明构思的以上和其他方面和特征将变得更加清楚，在附图中：

图1是示出根据本发明构思的一些实施例的成像装置以及包括成像装置的成像系统的框图；

图2是用于解释根据本发明构思的一些实施例的成像装置以及包括成像装置的成像系统的图；

图3是图2的区域K的放大图；

图4是用于解释图2的检测器的图；

图5是用于解释根据本发明构思的一些实施例的成像装置以及包括成像装置的成像系统的计算器的曲线图；

图6是用于解释图2的确定器的图；

图7是用于解释图2的检测器的图；