[发明专利]倍缩掩模固持工具

说明书

提供一种倍缩掩模固持工具，包括外壳，外壳包括上外壳构件以及侧向外壳构件。侧向外壳构件从上外壳构件延伸，且在一下边缘终止。倍缩掩模固持工具还包括定位于外壳中的倍缩掩模吸座，且倍缩掩模吸座配置以固定倍缩掩模。倍缩掩模固持工具亦包括气体输送总成。气体输送总成是定位于外壳内，且配置以供应气体至外壳内。

技术领域

本公开实施例涉及一种倍缩掩模，特别涉及一种倍缩掩模的固持工具。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit,IC)产业经历指数性成长，集成电路材料以及设计的技术的进步已产生了数个世代的集成电路，每一世代的集成电路都具有比上一世代更小以及更复杂的电路。在集成电路演变过程中，功能密度(亦即单位芯片区域的互联装置的数量)通常随着几何尺寸(亦即使用制造制程可以产生的最小元件(或线))下降而增加。这种尺寸微缩化的制程通常经由提高生产效率以及降低相关成本而提供益处，这样的尺寸微缩化亦增加加工以及制造集成电路的复杂性。

光刻曝光制程在各种图案化制程(例如：蚀刻或离子布值)中形成图案化光刻胶层。在典型的光刻制程中，将光敏层(光刻胶)施加至半导体基板的表面，且利用高亮度光的图案对光敏层进行曝光，而在光敏层上产生半导体装置的特征定义部件的图像。随着半导体制程演变，以提供更小的临界尺寸，且装置变得更小以及复杂性增加，包括层的数量，需要精确地图案化特征的方式，以提高装置的品质、可靠性以及良率。

尽管已经发明许多改善执行光刻曝光制程的方法，在所有方面不是完全地令人满意的。因此，希望提供一种改善光刻系统的解决方案，以提高半导体晶圆的生产良率。

发明内容

根据本公开的一些实施例，提供一种倍缩掩模固持工具。外壳包括上外壳构件以及侧向外壳构件。侧向外壳构件从上外壳构件延伸，且在位于预定平面上的下边缘终止。倍缩掩模固持工具还包括位于外壳中的倍缩掩模吸座，且倍缩掩模吸座具有配置以固定倍缩掩模的有效表面，有效表面位于预定平面以及上外壳构件之间。倍缩掩模固持工具亦包括气体输送总成(assembly)。气体输送总成是定位于外壳内，且配置以供应气体至外壳内。

根据本公开的一些实施例，提供一种光刻系统，包括一真空槽(vessel)。真空槽具有第一真空压力。光刻系统还包括外壳，外壳位于真空槽中，且具有较第一真空压力高的第二真空压力。外壳具有开口，允许外壳的内部连通至真空槽。光刻系统亦包括位于外壳中的倍缩掩模吸座，倍缩掩模吸座具有用于固持倍缩掩模的有效表面，有效表面面对开口，即有效表面通过开口曝露。除此之外，光刻系统包括曝光工具，配置以朝向倍缩掩模产生用于反射的高亮度光。光刻系统还包括晶圆平台，配置以支撑半导体晶圆，进而允许半导体晶圆接收从倍缩掩模反射的高亮度光。

根据本公开的一些实施例，提供一种执行光刻曝光制程的方法。方法包括在真空槽中产生第一真空压力。方法还包括放置倍缩掩模至位于真空槽中的外壳内，外壳通过开口与真空槽连通，且倍缩掩模的前表面面对开口，即前表面通过开口曝露。方法亦包括施加第一气流至外壳内，以在外壳中产生第二真空压力，第二真空压力较第一真空压力高。除此之外，方法包括通过倍缩掩模的前表面引导高亮度光至半导体晶圆。

附图说明

图1是根据一些实施例，光刻系统的示意概略图。

图2是根据一些实施例，倍缩掩模固持工具的剖面图。

图3是根据一些实施例，倍缩掩模固持工具以及倍缩掩模处理机械手臂的仰视图。

图4是示出根据一些实施例，用于在半导体晶圆上执行光刻制程方法的流程图。

图5是根据一些实施例，用于光刻曝光制程的方法的一个阶段的剖面图。

图6是根据一些实施例，用于光刻曝光制程的方法的一个阶段的示意图。

图7是根据一些实施例，倍缩掩模固持工具的剖面图。