[发明专利]引线框架电镀铜层的方法

说明书

本发明涉及一种引线框架电镀铜层的方法，该方法包括以下步骤：对引线框架基材进行前处理；采用双向脉冲电流，对经过前处理的所述引线框架基材进行电镀，得铜层；对所述铜层进行后处理，即得；所述双向脉冲电流的工艺参数包括：正向脉冲电流密度10ASD～15ASD，脉宽为0.5ms～50ms；反向脉冲电流密度为‑40ASD～‑30ASD，脉宽为0.1ms～10ms。本发明所述方法可以有效提高电镀铜层与封胶的粘接强度。

技术领域

本发明涉及集成电路的电镀领域，特别是涉及引线框架电镀铜层的方法。

背景技术

引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，是形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。引线框架表面电镀金属层后，一般与环氧模塑料(EMC)粘接。目前，在引线框架电镀铜层的表面封胶时，由于电镀铜层表面光滑，粘接强度不高，造成铜表面与胶粘接不牢固而脱胶，而如果电镀铜层表面变得凹凸无序，在凹坑后容易残留空气和杂质，产生气泡，形成应力集中，也会造成粘接强度下降，因此，如何增加引线框架电镀铜层与封胶之间的粘接强度，困扰着相关研发人员。

发明内容

基于此，本发明提供一种引线框架电镀铜层的方法，该方法能够有效改善电镀铜层与封胶粘接不牢固的问题，提高电镀铜层与封胶的粘接强度。

具体技术方案为：

一种引线框架电镀铜层的方法，包括以下步骤：

对引线框架基材进行前处理；

采用双向脉冲电流，对经过前处理的所述引线框架基材进行电镀，得铜层；

对所述铜层进行后处理，即得；

所述双向脉冲电流的工艺参数包括：

正向脉冲电流密度10ASD～15ASD，脉宽为0.5ms～50ms；

反向脉冲电流密度为-40ASD～-30ASD，脉宽为0.1ms～10ms。

在其中一个实施例中，所述正向脉冲电流密度为10ASD～12ASD，脉宽为5ms～50ms；

所述反向脉冲电流密度为-35ASD～-30ASD，脉宽为1ms～10ms。

在其中一个实施例中，所述正向脉冲电流密度为12ASD，脉宽为50ms；

所述反向脉冲电流密度为-30ASD，脉宽为10ms。

在其中一个实施例中，所述电镀的总时间为20s～28s。

在其中一个实施例中，所述电镀工艺中，以水为溶剂，镀铜液包含如下浓度的组分：

65～75g/L的CuSO₄·5H₂O；

60～100g/L的H₂SO₄；

2～5mL/L的FEC光亮剂；

5～10mL/L的FEC填平剂。

在其中一个实施例中，所述电镀的温度为40℃～60℃。

在其中一个实施例中，所述铜层的厚度为0.4μm～1.02μm。

在其中一个实施例中，所述前处理包括以下步骤：

对所述引线框架基材进行除油；

对除油后的所述引线框架基材进行活化。