[发明专利]一种化学换装系统及方法

说明书

本发明公开一种化学换装系统及方法，所述化学换装系统包括：至少一身分信息携载单元、至少一料品信息携载单元、至少一机台信息携载单元、以及至少一可携式电子装置。特别地，在所述可携式电子装置以其读取单元读取所述多个信息携载单元所携载的基础信息之后，后端的中央监控系统便可以在确认操作人员是否具有机台操作权限以及所述料品容置器所盛装的料品的品名、批号、有效日期、与序号是否正确之后，自动地解除机台的柜门，令操作人员接着进行相关料品的去旧换新作业。如此方式，能够确保所有机台的料品更换皆在电子化的系统管理下进行，免除任何的纸本记录，是以能够有效避免在执行料品的去旧换新的程序过程中发生人为操作异常。

技术领域

本发明是关于半导体制程的技术领域，尤指用于协助集成电路制造厂(ICfoundry)能够通过在线检核的方式安全地完成化学储液桶(Chemical container)的更换作业。

背景技术

化学机械研磨/化学液(Chemical Mechanical Polishing,CMP)/(Chemicalfluid)目前已被广泛地用于半导体IC制造程序之中的全面性平坦化制程。执行CMP制程时，必须将晶圆放置在一晶圆承载体(Carrier/Head)与表面铺有抛光垫的一旋转工作台之间。并且，以具有抛光垫的所述旋转工作台对晶圆执行全面性平坦化的过程中，一化学流体抛光液(Chemical mechanical polishing slurry)会通过一喷注管不断地喷向晶圆表面。可想而知，抛光垫与化学流体抛光液(简称“研磨液”)或其他化学液为CMP制程之中或其他制程的耗材，必须通过现场操作人员定时或定期进行更换。

必须补充说明的是，随着半导体IC制造技术的线宽不断地微缩，制程技术也跟着改变。例如，传统上应用于全面性平坦化制程的化学机械研磨技术也被转用于高介电质金属闸极(High-K metal gate)的制造程序中。然而，由于金属闸极的线宽多为16奈米以下，因此在注入研磨液或其他化学液至相关制造平台之前，必须先以过滤器对研磨液或其他化学液进行过滤程序，通过此方式去除研磨液或其他化学液所带有的尺寸大于100奈米的颗粒。可想而知，过滤器的滤心或滤材自然也是CMP制程之中的耗材，必须由现场操作人员定时或定期进行更换。

然而，根据集成电路制造厂(IC foundry)所提供的实务操作经验，可以发现目前使用的研磨液与/或滤心更换程序存在着一个重大缺陷，说明如下。研磨液或其他化学液或其他化学液与/或滤心的更换作业与历史是通过纸本记录，且纸本记录内容至少包括：更换人员姓名、更换人员工号、更换时间、更换品料号、品料上机时间、与品料下机时间等。然而，肇因于更换作业与纸本记录同时由人力完成，一旦在执行程序的过程中发生人为操作异常，例如操作人员以料号不符的研磨液或其他化学液进行换装，类似这种的人为操作错误势必导致集成电路制造厂(IC foundry)与其客户的重大损失。

由上述说明可知，将研磨液或其他化学液与/或滤心的物料管理、更换作业、程序步骤与记录同步电子化对于集成电路制造厂而言是亟迫切的。如此，集成电路制造厂的厂管便能够通过中心控制系统而完整、全面性地监控研磨液或其他化学液与/或滤心的更换料号是否正确以及操作人员是否具备换装权限。有鉴于此，本案的发明人极力加以研究创作，而终于研发完成本发明的一种化学换装系统与方法。

发明内容