[发明专利]基于忆阻器的存储器内计算架构在审
申请号: | 201811329873.1 | 申请日: | 2018-11-09 |
公开(公告)号: | CN109542391A | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
发明(设计)人: | 薛晓勇;刘文军;周鹏 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | G06F7/483 | 分类号: | G06F7/483;G06F21/72 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;陆尤 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 忆阻器 架构 物联网终端 忆阻器阵列 存储器 辅助电路 逻辑运算 互连线 异或 与非 集成电路技术 复杂运算 互相交叉 加密运算 交叉阵列 信息安全 运算结果 数据处理 传统的 低功耗 交叉处 可用 竖直 存储 保存 替代 | ||
1.一种基于忆阻器的存储器内计算架构,其特征在于,包含忆阻器阵列和辅助电路;其中,忆阻器阵列是一个交叉阵列,由若干水平方向的互连线和若干竖直方向的互连线互相交叉构成,每个交叉处有一个忆阻器单元,该忆阻器单元具有两个端,一端连接水平方向的互连线,另一端连接竖直方向的互连线;
忆阻器阵列实现存储内计算时,动态划分为存储区和计算区;计算区用于实现与、或、非、与非、或非、异或这些逻辑运算;计算区的运算结果保存在存储区;辅助电路用于进行除与、或、非、与非、或非、异或等逻辑运算之外的复杂运算,包括数据处理、加密运算。
2.根据权利要求1所述的基于忆阻器的存储器内计算架构,其特征在于,所述具有两端结构的忆阻器单元为相变存储器、铁电存储器、磁存储器、阻变存储器或其他任何用阻值高低表征逻辑值的存储器。
3.根据权利要求1所述的基于忆阻器的存储器内计算架构,其特征在于,忆阻阵列动态划分为计算区和存储区后,当一个忆阻阵列的某几行在进行计算时,其计算结果经过辅助电路写入另外一个忆阻阵列去,这样既可以避免目前的非易失逻辑遇到的问题,又可以由辅助电路增强逻辑计算的能力;或者计算区和存储区放在同一个忆阻阵列中,这是需要借助辅助电路对计算结果进行缓存,或者加入新的计算功能,然后延迟写入到同一个阵列中去。
4. 如权利要求1-3之一所述的基于忆阻器的存储器内计算架构,在物联网终端架构中的应用,即用于替代传统的物联网终端架构中的SRAM 和Flash 模块。
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