[发明专利]适用于TR组件无次序加电的内置小型化保护电路有效
| 申请号: | 201811322284.0 | 申请日: | 2018-11-06 |
| 公开(公告)号: | CN109449915B | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
| 发明(设计)人: | 张红英;杨晶晶;许建华;陈凯;莫志明;赵涛 | 申请(专利权)人: | 上海航天电子通讯设备研究所 |
| 主分类号: | H02H11/00 | 分类号: | H02H11/00 |
| 代理公司: | 31236 上海汉声知识产权代理有限公司 | 代理人: | 胡晶<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址: | 200082 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电源检测器 电路 加电 串联电阻 下拉电阻 内置 外部电源电压 内部电路 免调试 级联 串联 | ||
本发明提供了一种适用于TR组件无次序加电的内置小型化保护电路,包括:电源检测器、MOS驱动器、PMOS管、下拉电阻及串联电阻,所述电源检测器、MOS驱动器、PMOS管依次级联,其中,所述下拉电阻连接至所述电源检测器与MOS驱动器的连接处,所述串联电阻串联于所述MOS驱动器、PMOS管之间。该电路解决了TR组件的三种外部电源电压(+5V、‑5V、Vd)因无次序加电造成TR组件内部电路故障的问题,电路简明,小型化,免调试。
技术领域
本发明涉及有源相控阵TR组件技术领域,特别涉及一种适用于TR组件无次序加电的内置小型化保护电路。
背景技术
TR组件是有源相控阵的核心部件,通常TR组件工作需要三种外加电源,分别为+5V、-5V、Vd(若选用GaAs器件,Vd范围为+8V~+10V)。TR组件中发射通道的末端会用到功率放大器,一般功率放大器为双电源工作(栅压、漏压),加电顺序为先加栅压再加漏压,若反之则功放会受损甚至烧毁。如GaAs功率放大器,通常栅压为-0.6V、漏压为+8V。一般栅压由电源-5V经相应电路产生栅压(-0.6V),若功率放大器要正常工作,需使+8V电压晚于-5V电压到达TR组件功率放大器及其调制电路。
其次,随着技术的进步,TR组件的外形尺寸越来越小,加电保护电路除了满足性能可靠外,还需进行小型化设计。
其中,在专利申请号为201520109768.2的实用新型专利中提供了一种用于TR组件的供电电源的时序控制和保护电路,该实用新型专利中的保护电路涉及6部分电路,包括24个电子元器件。该电路放置于TR组件外部,仍然不够简明和小型化。
发明内容
本发明的目的在于提供一种适用于TR组件无次序加电的内置小型化保护电路,以解决现有的由TR组件外部电源无次序加电带来的电路故障的问题及相关控制及保护电路不够简明和小型化的问题。
为实现上述目的,本发明提供了一种适用于TR组件无次序加电的内置小型化保护电路,其特征在于,包括:电源检测器、MOS驱动器、PMOS管、下拉电阻及串联电阻,所述电源检测器、MOS驱动器、PMOS管依次级联,其中,所述下拉电阻连接至所述电源检测器与MOS驱动器的连接处,所述串联电阻串联于所述MOS驱动器、PMOS管之间。
较佳地,所述电源检测器包括:电压检测电路,用于检测外部输入的-5V电压,并对其电压值进行判断;与门电路,实现逻辑“与”运算,逻辑如下:+5V电源电压加在VDD端口,当IN-5V端口输入-5V电压且IN3和IN4端口输入+5V电压时,OUT2端口输出高电平+5V,否则输出为低电平0V;缓冲驱动器,用于提高输出驱动能力。
较佳地,所述MOS驱动器为反相MOS驱动器。
较佳地,所述MOS驱动器的输入端通过所述下拉电阻接地,所述下拉电阻为kΩ级电阻。
较佳地,所述串联电阻为百欧姆或十欧姆级电阻。
较佳地,所述MOS驱动器的输出信号经所述串联电阻输入所述PMOS管的栅极。
较佳地,外部输入电压加载在所述PMOS管的源极,若外部输入的正负电压有一者未打入电压检测电路时,PMOS管截止,输出低电平。
较佳地,电路开关上升时间、下降时间设为10~90ns间的任意一值,输出电流为3-30A间的任意一值。
本发明用于有源相控阵TR组件,由于采取了上述技术方案,因此,解决了由TR组件外部电源无次序加电带来的电路故障的问题,达到了如下的有益效果:
1)Vd晚于+5V、-5V进行TR组件主电路:
只有当外部电源+5V、-5V输入时,电压Vd才可输出供给功率放大器及其调制电路;保护电路有效地保护了TR组件内的功率放大器及其调制电路。
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