[发明专利]适用于TR组件无次序加电的内置小型化保护电路有效

专利信息
申请号: 201811322284.0 申请日: 2018-11-06
公开(公告)号: CN109449915B 公开(公告)日: 2019-12-03
发明(设计)人: 张红英;杨晶晶;许建华;陈凯;莫志明;赵涛 申请(专利权)人: 上海航天电子通讯设备研究所
主分类号: H02H11/00 分类号: H02H11/00
代理公司: 31236 上海汉声知识产权代理有限公司 代理人: 胡晶<国际申请>=<国际公布>=<进入国
地址: 200082 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 电源检测器 电路 加电 串联电阻 下拉电阻 内置 外部电源电压 内部电路 免调试 级联 串联
【权利要求书】:

1.一种适用于TR组件无次序加电的内置小型化保护电路,其特征在于,包括:电源检测器、MOS驱动器、PMOS管、下拉电阻及串联电阻,所述电源检测器、MOS驱动器、PMOS管依次级联,其中,所述下拉电阻连接至所述电源检测器与MOS驱动器的连接处,所述串联电阻串联于所述MOS驱动器、PMOS管之间;所述电源检测器包括:电压检测电路,用于检测外部输入的-5V电压,并对其电压值进行判断;与门电路,实现逻辑“与”运算,逻辑如下:+5V电源电压加在VDD端口,当IN-5V端口输入-5V电压且IN3和IN4端口输入+5V电压时,OUT2端口输出高电平+5V,否则输出为低电平0V;缓冲驱动器,用于提高输出驱动能力。

2.根据权利要求1所述的适用于TR组件无次序加电的内置小型化保护电路,其特征在于,所述MOS驱动器为反相MOS驱动器。

3.根据权利要求1或2所述的适用于TR组件无次序加电的内置小型化保护电路,其特征在于,所述MOS驱动器的输入端通过所述下拉电阻接地,所述下拉电阻为kΩ级电阻。

4.根据权利要求1所述的适用于TR组件无次序加电的内置小型化保护电路,其特征在于,所述串联电阻为百欧姆或十欧姆级电阻。

5.根据权利要求1所述的适用于TR组件无次序加电的内置小型化保护电路,其特征在于,所述MOS驱动器的输出信号经所述串联电阻输入所述PMOS管的栅极。

6.根据权利要求1所述的适用于TR组件无次序加电的内置小型化保护电路,其特征在于,外部输入电压加载在所述PMOS管的源极,若外部输入的正负电压有一者未打入电压检测电路时,PMOS管截止,输出低电平。

7.根据权利要求1所述的适用于TR组件无次序加电的内置小型化保护电路,其特征在于,电路开关上升时间、下降时间设为10~90ns间的任意一值,输出电流为3-30A间的任意一值。

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