[发明专利]有机硅材料的前体材料的纯化方法和装置

权利要求书

1.一种有机硅材料的前体材料的纯化方法，其特征在于，包括如下步骤：

将有机硅材料的前体材料粗产品通入包括分子筛和/或活性炭的吸附床；

所述吸附床从所述前体材料粗产品中吸附氯代联苯；

从所述吸附床中移除纯化的前体材料，

其中，所述纯化后的前体材料中包含二苯基二氯硅烷，所述二苯基二氯硅烷中所含有的氯代联苯的含量为5ppm以下，优选为2ppm以下，更优选为1ppm以下，进一步优选为0.5ppm以下，更进一步优选为检出限以下。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括如下步骤：

(b)、在所述吸附床相对于所述氯代联苯达到饱和后，向所述饱和的吸附床中通入脱附剂，所述脱附剂从所述吸附床中吸附所述氯代联苯，使所述氯代联苯从所述吸附床中脱附出来。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述脱附剂为芳烃溶剂、氯化芳烃溶剂、氯化脂肪烃溶剂中的一种或多种，优选的，所述吸附剂为苯、甲苯、二甲苯、氯苯、氯代甲苯和二氯甲烷中的一种或多种。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括如下步骤：

在步骤(b)之前，进行步骤(a)向所述饱和的吸附床中通入置换剂，置换出所述吸附床中残留的部分纯化的前体材料；

所述置换剂为饱和脂肪烃溶剂，优选的，所述置换剂为己烷、庚烷、辛烷和异辛烷中的一种或多种。

5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述吸附床吸附氯代联苯的过程温度为0～35℃，优选为10～30℃，更优选为20～25℃。

6.根据权利要求2-5任一项所述的方法，其特征在于，所述脱附的过程温度为80～130℃，优选为85～120℃。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述吸附床吸附氯代联苯的过程以及所述脱附的过程在温度控制设备下进行，使得上述两个过程中温度范围始终不超过所限定的温度范围。

8.根据权利要求7所述的方法，所述吸附床吸附氯代联苯的过程以及所述脱附的过程在温度控制设备下进行，使得上述两个过程中各自温度变化幅度波动不超过±10℃，优选不超过±5℃。

9.根据权利要求1-8任一项所述的方法，其特征在于，所述氯代联苯包括一氯代联苯和二氯代联苯。

10.根据权利要求1-9任一项所述的方法，其特征在于，所述氯代联苯包括一氯代联苯至十氯代联苯的总和。

11.一种有机硅材料的前体材料的纯化装置，其特征在于，所述纯化装置包括：

吸附床，所述吸附床包括活性炭和/或分子筛；

温度控制设备，

通过所述温度控制设备控制权利要求1-10任一项所述的方法中吸附床吸附氯代联苯的过程温度为0～35℃，优选为10～30℃，更优选为20～25℃，和/或控制权利要求2-10任一项所述的脱附的过程温度为80～130℃，优选为85～120℃。