[发明专利]顶发光型量子点电致发光二极管及其制备方法

说明书

本发明提供了一种顶发光型量子点电致发光二极管，包括相对设置的反射阳极和透明阴极，设置在所述反射阳极和所述透明阴极之间的量子点发光层，以及设置在所述量子点发光层和所述透明阴极之间的复合电子传输叠层；其中，复合电子传输叠层包括在所述量子点发光层和所述透明阴极之间设置的第一电子传输层，和在所述透明阴极和所述第一电子传输层之间设置的第二电子传输层，且所述第一电子传输层的材料中至少含有一种无机氧化物电子传输材料，所述第二电子传输层的材料中至少含有一种有机电子传输材料。

技术领域

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种顶发光型量子点电致发光器件及其制备方法。

背景技术

量子点(Quantum Dots，QDs)，又称纳米晶，是准零维的纳米材料，由有限数目的原子组成，至少两个维度尺寸均在纳米数量级，外观似一极小的点状物或棒状物/线状物，其内部电子运动在二维空间都受到了限制，量子限域效应特别显著。纳米晶体半导体材料受到光或电的激发，会发出半峰宽很窄的光谱(通常半峰宽小于40nm)，发光颜色主要由粒子大小决定，发光具有光色纯度高、发光量子效率高、性能稳定等特点。

利用量子点电致发光特性制作的量子点发光二极管(Quantum Dot LightEmitting Diode，QLED)器件作为一种新兴的发光器件，近年来受到了广泛的关注。与传统的有机发光二极管(OLED)相比，QLED具有更加优异的色纯度、亮度和可视角等特点。量子点可分散于溶剂中配制成量子点墨水等印刷材料，适用于溶液法制备，可采用打印、移印、旋涂、刮涂等方法制造量子点发光薄膜，实现大面积溶液加工。如采用与喷墨打印(InkjetPrinting)相类似的按需喷墨(Drop on Demand)工艺，可以精确地按所需量将量子点材料沉积在设定的位置，沉积形成精密像素薄膜结构，制造大尺寸彩色QLED显示屏。这些特点使得以量子点材料作为发光层的量子点发光二极管在固态照明、平板显示等领域具有广泛的应用前景，受到了学术界以及产业界的广泛关注。

通过对量子点材料的改进以及QLED器件结构的不断优化，QLED器件性能得到了大幅度的提高，但是制作顶发光结构的QLED器件，如仍采用现有的器件结构，由于透明阴极与电子传输层能级的失配，导致电子注入困难，使器件性能降低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种顶发光型量子点电致发光二极管及其制备方法，旨在解决现有顶发光型量子点电致发光二极管由于透明阴极与电子传输层能级的失配，导致电子注入困难，导致发光二极管器件性能降低的问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明一方面提供一种顶发光型量子点电致发光二极管，包括相对设置的反射阳极和透明阴极，设置在所述反射阳极和所述透明阴极之间的量子点发光层，以及设置在所述量子点发光层和所述透明阴极之间的复合电子传输叠层；其中，所述复合电子传输叠层包括在所述量子点发光层和所述透明阴极之间设置的第一电子传输层，和在所述透明阴极和所述第一电子传输层之间设置的第二电子传输层，且所述第一电子传输层的材料中至少含有一种无机氧化物电子传输材料，所述第二电子传输层的材料中至少含有一种有机电子传输材料。

本发明另一方面提供一种顶发光型量子点电致发光二极管的制备方法，包括以下步骤：

提供基板，在所述基板上制备反射阳极；

在所述反射阳极上制备量子点发光层；

在所述量子点发光层上制备第一电子传输层，在所述第一电子传输层上制备第二电子传输层；

在所述第二电子传输层上制备透明阴极。