[发明专利]移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路和显示装置有效

专利信息
申请号: 201811276528.6 申请日: 2018-10-30
公开(公告)号: CN109192238B 公开(公告)日: 2021-01-22
发明(设计)人: 董骥;肖文俊;高超;冯博;穆文凯;包智颖;陈晓晓;纪昊亮;杨冰清;王世君 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: G11C19/28 分类号: G11C19/28;G09G3/20
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;刘伟
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 移位寄存器 单元 及其 驱动 方法 栅极 电路 显示装置
【权利要求书】:

1.一种移位寄存器单元,包括用于输入第一时钟信号的第一时钟信号端和用于输出栅极驱动信号的栅极驱动信号输出端,其特征在于,所述移位寄存器单元还包括降噪控制电路和上拉节点降噪电路;

所述降噪控制电路分别与所述栅极驱动信号输出端、降噪控制端和降噪控制节点连接,用于在栅极驱动信号输出阶段,在第一时钟信号的控制下,根据所述栅极驱动信号控制所述降噪控制节点的电位为第一电平,并在输出截止阶段包括的降噪时间段维持所述降噪控制节点的电位为第一电平,在所述降噪控制节点的电位的控制下,控制所述降噪控制端的电位为有效电平;

所述上拉节点降噪电路分别与所述降噪控制端和上拉节点连接,用于在所述降噪时间段,在所述降噪控制端的电位的控制下,对所述上拉节点进行降噪;

所述移位寄存器单元还包括第二时钟信号端,所述降噪控制电路包括第一控制子电路、储能子电路和第二控制子电路,其中,

所述第一控制子电路分别与第一时钟信号端、所述降噪控制节点和所述栅极驱动信号输出端连接,用于在栅极驱动信号输出阶段,在所述第一时钟信号的控制下,控制所述降噪控制节点与所述栅极驱动信号输出端之间连通;

所述储能子电路与所述降噪控制节点连接,用于在所述降噪时间段维持所述降噪控制节点的电位为第一电平;

所述第二控制子电路分别与所述降噪控制节点、所述第二时钟信号端和所述降噪控制端连接,用于在所述降噪时间段,在所述降噪控制节点的电位的控制下,控制所述降噪控制端与所述第二时钟信号端之间连通。

2.如权利要求1所述的移位寄存器单元,其特征在于,所述第一控制子电路包括第一控制晶体管;

所述第一控制晶体管的控制极与所述第一时钟信号端连接,所述第一控制晶体管的第一极与所述栅极驱动信号输出端连接,所述第一控制晶体管的第二极与所述降噪控制节点连接。

3.如权利要求2所述的移位寄存器单元,其特征在于,所述储能子电路包括降噪控制电容;

所述降噪控制电容的第一端与所述降噪控制节点连接,所述降噪控制电容的第二端与所述降噪控制端连接。

4.如权利要求1所述的移位寄存器单元,其特征在于,所述第二控制子电路包括第二控制晶体管;

所述第二控制晶体管的控制极与所述降噪控制节点连接,所述第二控制晶体管的第一极与所述第二时钟信号端连接,所述第二控制晶体管的第二极与所述降噪控制端连接。

5.如权利要求1所述的移位寄存器单元,其特征在于,所述上拉节点降噪电路包括上拉节点降噪晶体管;

所述上拉节点降噪晶体管的控制极与所述降噪控制端连接,所述上拉节点降噪晶体管的第一极与所述上拉节点连接,所述上拉节点降噪晶体管的第二极与降噪电压端连接。

6.如权利要求1所述的移位寄存器单元,其特征在于,所述降噪控制电路包括降噪晶体管;

所述降噪晶体管的控制极与下拉节点连接,所述降噪晶体管的第一极与所述降噪控制端连接,所述降噪晶体管的第二极与降噪电压端连接。

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