[发明专利]阵列基板、显示面板和显示装置在审
申请号: | 201811255929.3 | 申请日: | 2018-10-25 |
公开(公告)号: | CN111103734A | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
发明(设计)人: | 王小元;王武;方琰;毕瑞琳;白雅杰;高玉杰;李承珉 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1362 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张成新 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
提供一种阵列基板、显示面板和显示装置。所述阵列基板包括:衬底基板;设置在衬底基板上的第一数据线和公共电极线;和设置在衬底基板上的第一栅线和第二栅线,所述第一栅线和所述第二栅线两者与所述第一数据线和所述公共电极线均交叉以限定出第一子像素。所述第一子像素包括:设置在衬底基板上的像素电极;设置在像素电极上的公共电极;和设置在像素电极和公共电极之间的绝缘层;并且所述公共电极包括多个狭缝,所述狭缝的延伸方向与所述第一数据线的延伸方向相同。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。
背景技术
目前,薄膜晶体管液晶显示器(简称为TFT-LCD)主要包括扭曲向列(简称为TN)型、平面转换(简称为IPS)型和高级超维场开关(简称为ADS)型。其中,ADS型TFT-LCD主要是通过同一平面内狭缝电极边缘产生的电场以及狭缝电极层与面状电极层间产生的电场形成多维电场,使得液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向的液晶分子都能够产生旋转。
然而,目前的ADS型显示器仍然存在暗区较多的问题,需要进行改进。
发明内容
为了解决上述问题的至少一个方面,本公开提供一种阵列基板、包括该阵列基板的显示面板和显示装置。
在一个方面,提供一种阵列基板,包括:
衬底基板;
设置在衬底基板上的第一数据线和公共电极线;和
设置在衬底基板上的第一栅线和第二栅线,所述第一栅线和所述第二栅线两者与所述第一数据线和所述公共电极线均交叉以限定出第一子像素,
其中,第一子像素包括:
设置在衬底基板上的像素电极;
设置在像素电极远离所述衬底基板一侧的公共电极;和
设置在像素电极和公共电极之间的绝缘层;
其中,所述公共电极包括多个狭缝,所述狭缝的延伸方向与所述第一数据线的延伸方向相同。
可选地,所述多个狭缝包括靠近所述第一数据线的第一狭缝,所述像素电极包括靠近所述第一数据线的第一侧面,所述像素电极的第一侧面在所述衬底基板上的正投影位于所述第一狭缝在所述衬底基板上的正投影内;和/或,
所述多个狭缝包括靠近所述公共电极线的第二狭缝,所述像素电极包括靠近所述公共电极线的第二侧面,所述像素电极的第二侧面在所述衬底基板上的正投影位于所述第二狭缝在所述衬底基板上的正投影内。
可选地,所述像素电极的第一侧面在所述衬底基板上的正投影位于所述第一狭缝在所述衬底基板上的正投影在垂直于所述第一数据线的方向上的中间位置;和/或,
所述像素电极的第二侧面在所述衬底基板上的正投影位于所述第二狭缝在所述衬底基板上的正投影在垂直于所述公共电极线的方向上的中间位置。
可选地,所述像素电极包括靠近所述第一栅线的第三侧面,所述像素电极的第三侧面在所述衬底基板上的正投影与所述多个狭缝在所述衬底基板上的正投影部分重叠;和/或,
所述像素电极包括靠近所述第二栅线的第四侧面,所述像素电极的第四侧面在所述衬底基板上的正投影与所述多个狭缝在所述衬底基板上的正投影部分重叠。
可选地,所述公共电极在所述衬底基板上的正投影与所述公共电极线在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
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