[发明专利]用于测量流体物理性能的方法、装置、和系统有效

专利信息
申请号: 201811245901.1 申请日: 2013-01-15
公开(公告)号: CN109520889B 公开(公告)日: 2022-04-05
发明(设计)人: R.阿布希舍克;N.尤施米祖 申请(专利权)人: 仪宝科技公司
主分类号: G01N11/16 分类号: G01N11/16;G01N29/02;G01N29/036;G01N33/487;G01N33/49
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 谭祐祥
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 测量 流体 物理性能 方法 装置 系统
【权利要求书】:

1.用于在一个或多个时间点测量流体样品的一个或多个性能或性能改变的装置,该装置包括:

室,该室限定该装置的内部体积,所述内部体积适合接收并且保留该流体样品;

多个层,该多个层包括在该室下方的至少一个第一层、在该室上方的至少一个第二层、以及在所述第一层和所述第二层之间的基质层,其中:

该基质层连接至位于该室内的至少一个悬浮元件;

该悬浮元件由绝缘材料和至少一个模式化的导电层组成,所述导电层提供至少一个导电通路;

该悬浮元件通过位于该室内的至少两个顺应式结构连接至该基质层;

该悬浮元件被配置为当应用致动信号到至少一个所述导电通路时振荡,该导电通路延伸跨越至少两个所述顺应式结构和所述悬浮元件;

并且该悬浮元件被配置为具有至少一个振荡频率。

2.用于在一个或多个时间点测量流体样品的一个或多个性能或性能改变的装置,该装置包括:

室,该室限定该装置的内部体积,所述内部体积适合接收并且保留该流体样品;

多个层,该多个层包括在该室下方的至少一个第一层、在该室上方的至少一个第二层、以及在所述第一层和所述第二层之间的基质层,其中:

该基质层连接至位于该室内的至少一个悬浮元件;

该悬浮元件由绝缘材料和至少一个模式化的导电层组成,所述导电层提供至少一个导电通路;

该悬浮元件通过位于该室内的至少两个顺应式结构连接至该基质层;

并且该悬浮元件被配置为当应用致动信号到至少一个所述导电通路时振荡,该导电通路延伸跨越至少两个所述顺应式结构和所述悬浮元件,其中该振荡相对于该悬浮元件的表面能够在平面内振荡。

3.用于在一个或多个时间点测量流体样品的一个或多个性能或性能改变的装置,该装置包括:

室,该室限定该装置的内部体积,所述内部体积适合接收并且保留该流体样品;

多个层,该多个层包括在该室下方的至少一个第一层、在该室上方的至少一个第二层、以及由所述第一层和所述第二层之间的基质层,其中:

该基质层连接至位于该室内的至少一个悬浮元件;

该悬浮元件由绝缘材料和至少一个模式化的导电层组成,所述导电层提供至少一个导电通路;

该悬浮元件通过位于该室内的至少两个顺应式结构连接至该基质层;

并且该悬浮元件被配置为当应用致动信号到至少一个所述导电通路时振荡,该导电通路延伸跨越至少两个所述顺应式结构和所述悬浮元件,其中该振荡相对于该悬浮元件的表面能够在平面外振荡。

4.用于在一个或多个时间点测量流体样品的一个或多个性能或性能改变的装置,该装置包括:

室,该室限定该装置的内部体积,所述内部体积适合接收并且保留该流体样品;

多个层,该多个层包括在该室下方的至少一个第一层、在该室上方的至少一个第二层、以及由所述第一层和所述第二层之间的基质层,其中:

该基质层连接至位于该室内的至少一个悬浮元件;

该悬浮元件由绝缘材料和至少一个连续模式化的导电层组成,所述导电层提供至少一个导电通路;

该悬浮元件通过位于该室内的至少两个顺应式结构连接至该基质层;

该悬浮元件被配置为当应用致动信号到至少一个所述导电通路时振荡,该导电通路延伸完全跨越至少两个所述顺应式结构和所述悬浮元件;

并且该悬浮元件和所述至少两个顺应式结构被配置为具有至少一个振荡频率。

5.用于在一个或多个时间点测量流体样品的一个或多个性能或性能改变的装置,该装置包括:

室,该室限定该装置的内部体积,所述内部体积适合接收并且保留该流体样品;

多个层,该多个层包括在该室下方的至少一个第一层、在该室上方的至少一个第二层、以及由所述第一层和所述第二层之间的基质层,其中:

该基质层连接至位于该室内的至少一个悬浮元件;

该悬浮元件由绝缘材料和至少一个连续模式化的导电层组成,所述导电层提供至少一个导电通路;

该悬浮元件通过位于该室内的至少两个顺应式结构连接至该基质层;

该悬浮元件被配置为当应用致动信号到至少一个所述导电通路时振荡,该导电通路延伸完全跨越至少两个所述顺应式结构和所述悬浮元件;

该悬浮元件和所述至少两个顺应式结构被配置为至少具有第一振荡频率和第二振荡频率;

处于该第一振荡频率的振荡诱导该流体样品中的第一剪切穿透深度小于阈值的第一声场,其中该阈值的范围是从0.5微米至500微米;以及

处于该第二振荡频率的振荡诱导该流体样品中的第二剪切穿透深度大于该阈值的第二声场。

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