[发明专利]垂直腔面发射激光器的像素结构及其制作方法有效
| 申请号: | 201811244074.4 | 申请日: | 2018-10-24 |
| 公开(公告)号: | CN108923261B | 公开(公告)日: | 2019-01-29 |
| 发明(设计)人: | 梁栋;霍轶杰;刘嵩 | 申请(专利权)人: | 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 |
| 主分类号: | H01S5/42 | 分类号: | H01S5/42;G09F9/33 |
| 代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 罗泳文 |
| 地址: | 213000 江苏省常州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 垂直腔面发射激光器 子像素 发射窗口 像素结构 模组 编码结构光 光线出射 结构光 暗区 亮区 能耗 可辨识度 整体光学 制造成本 排布 制作 图案 应用 制造 | ||
1.一种垂直腔面发射激光器的像素结构,其特征在于,所述垂直腔面发射激光器具有一发射窗口,所述像素结构包括在所述发射窗口内形成的若干具有光线出射的亮区子像素以及若干不具有光线出射的暗区子像素,且所述亮区子像素与所述暗区子像素在所述发射窗口内排布成图案,其中,所述暗区子像素在所述垂直腔面发射激光器中以图形化的沟道及自所述沟道的侧壁朝所述垂直腔面发射激光器内部延伸的限制氧化层的方式限定,所述沟道及所述限制氧化层用以切断相应区域的所述垂直腔面发射激光器的电流路径而形成所述暗区子像素。
2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器的像素结构,其特征在于:所述亮区子像素与所述暗区子像素在所述发射窗口内排布成矩阵图案。
3.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器的像素结构,其特征在于:所述亮区子像素与所述暗区子像素在所述发射窗口内排布成数字图案、文字图案及字母图案中的一种。
4.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器的像素结构,其特征在于:所述亮区子像素与所述暗区子像素在所述发射窗口内排布成二维码图案。
5.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器的像素结构,其特征在于:所述图案包括若干条形亮区子像素,所述若干条形亮区子像素之间由所述暗区子像素隔离。
6.根据权利要求5所述的垂直腔面发射激光器的像素结构,其特征在于:所述图案包括若干第一条形亮区子像素及若干第二条形亮区子像素,所述第一条形亮区子像素之间、所述第二条形亮区子像素之间及所述第一条形亮区子像素与第二条形亮区子像素之间由所述暗区子像素隔离,所述第二条形亮区子像素的长度大于所述第一条形亮区子像素的长度。
7.根据权利要求6所述的垂直腔面发射激光器的像素结构,其特征在于:所述图案包括由平行排列的所述第一条形亮区子像素及第二条形亮区子像素形成的八卦阵,所述八卦阵包括一个所述第二条形亮区子像素,以及分别位于所述第二条形亮区子像素两侧的两组第一条形亮区子像素,每组第一条形亮区子像素包括两个间隔排列的第一条形亮区子像素。
8.根据权利要求6所述的垂直腔面发射激光器的像素结构,其特征在于:所述第一条形亮区子像素的长度介于3微米~10微米,宽度介于3微米~10微米,所述第二条形亮区子像素的长度介于10微米~30微米,宽度介于3微米~10微米,所述暗区子像素的宽度介于2微米~15微米。
9.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器的像素结构,其特征在于:所述垂直腔面发射激光器包括下反射镜、位于所述下反射镜上的有源层、位于有源层上的上反射镜、沟道及限制氧化层,所述沟道以图形化去除所述下反射镜、有源层及上反射镜的方式形成,所述限制氧化层以自所述沟道侧壁朝所述垂直腔面发射激光器内部进行氧化的方式形成。
10.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器的像素结构,其特征在于:所述暗区子像素的最小宽度为6微米。
11.一种垂直腔面发射激光器的像素阵列,其特征在于:所述像素阵列包括多个呈阵列排布的如权利要求1~10任意一项所述的垂直腔面发射激光器的像素结构,以形成图案阵列。
12.根据权利要求11所述的垂直腔面发射激光器的像素阵列,其特征在于:所述图案阵列包含所述垂直腔面发射激光器的像素结构的图案信息以及所述垂直腔面发射激光器的像素结构的位置信息。
13.一种光学组件,其特征在于:包含如权利要求1~10任意一项所述的垂直腔面发射激光器的像素结构以及配置于所述像素结构上的光学透镜,以实现所述图案的放大投影。
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