[发明专利]极紫外光辐射源

说明书

一种极紫外光源的标靶液滴源包括一液滴产生器，配置用以产生一给定材料的标靶液滴。液滴产生器包括一喷嘴，配置用以在由一腔室封闭的一空间中供应标靶液滴。标靶液滴源还包括一套筒，设置在腔室中且靠近喷嘴。套筒配置用以为标靶液滴在腔室中提供一路径。

技术领域

本发明实施例关于一种半导体制造技术，特别涉及一种极紫外光(extremeultraviolet(EUV))光刻系统及方法。

背景技术

对计算能力的需求呈指数成长，这种计算能力的增加可以通过增加半导体集成电路(integrated circuits(ICs))的功能密度(即，每个芯片上互连装置的数目)来实现。随着功能密度的增加，芯片上各个装置的尺寸会减小。基于光刻(lithography)等半导体制造技术的进步，集成电路中元件尺寸的减小可以得到满足。

举例来说，用于光刻的辐射波长已经从紫外光减小到深紫外光(deepultraviolet(DUV))，再到最近的极紫外光范围。元件尺寸的进一步减小需要光刻的分辨率的进一步改善，此可以使用极紫外光刻(EUV lithography(EUVL))来实现。极紫外光刻采用波长约1到100纳米(nm)的辐射。

一种产生极紫外光辐射的方法是激光产生等离子体(laser-produced plasma(LPP))。在一基于激光产生等离子体的极紫外光源(source)中，一高功率激光光束聚焦在小的掺锡液滴标靶(tin droplet targets)上以形成高度离子化等离子体，其可以发出峰值波长在约13.5纳米的极紫外光辐射。由激光产生等离子体产生的极紫外光辐射的强度取决于通过高功率激光从标靶液滴(target droplets)产生等离子体的有效性。具有相同直径并以固定周期到达的稳定的标靶液滴流(stream)可以提高基于激光产生等离子体的极紫外光刻源的效率。

发明内容

本公开一些实施例提供一种极紫外光辐射源(extreme ultraviolet(EUV)radiation source)，包括一极紫外光产生腔室、一液滴产生器、一激发激光(excitationlaser)及一套筒(sleeve)。极紫外光产生腔室封闭(enclosing)一空间。液滴产生器配置用以产生一给定材料的标靶液滴。液滴产生器包括一喷嘴，配置用以在由极紫外光产生腔室封闭的空间中供应标靶液滴。激发激光配置用以加热由喷嘴供应的标靶液滴以产生等离子体。激发激光聚焦在由极紫外光产生腔室封闭的空间中的一焦点位置。套筒设置在极紫外光产生腔室中且介于喷嘴与焦点位置之间。套筒配置用以为标靶液滴在喷嘴与焦点位置之间提供一路径(path)。

本公开一些实施例提供一种极紫外光辐射源的一标靶液滴源(target dropletsource)，包括一液滴产生器及一套筒。液滴产生器配置用以产生一给定材料的标靶液滴。液滴产生器包括一喷嘴，配置用以在由一腔室封闭的一空间中供应标靶液滴。套筒设置在腔室中且靠近(proximal to)喷嘴。套筒配置用以为标靶液滴在腔室中提供一路径。

本公开一些实施例提供一种在一极紫外光辐射源中产生用于产生激光产生等离子体(laser produced plasma)的标靶液滴的方法。所述方法包括在一液滴产生器中产生一给定材料的标靶液滴；通过液滴产生器的一喷嘴在由一腔室封闭的一空间中供应标靶液滴；以及使用设置在腔室中且靠近喷嘴的一套筒为通过喷嘴供应的标靶液滴提供一路径，套筒具有一封闭的横截面。

附图说明

图1显示根据本公开一些实施例，一极紫外光(EUV)光刻系统的示意图，其中极紫外光刻系统具有一激光产生等离子体(LPP)极紫外光辐射源。

图2显示根据本公开一些实施例，一护罩(shroud)用于防止来自液滴产生器泄漏的源材料(source material)流动到收集器(collector)上。