[发明专利]具有可重新定位电极的解冻设备在审

专利信息
申请号: 201811218125.6 申请日: 2018-10-19
公开(公告)号: CN109259045A 公开(公告)日: 2019-01-25
发明(设计)人: 吴冬;华奇;刘同贺;邓阳 申请(专利权)人: 恩智浦美国有限公司
主分类号: A23L3/365 分类号: A23L3/365
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 刘倜
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 重新定位 电极 第一电极 密闭结构 射频信号源 解冻设备 支撑结构 腔内 第一表面 电极安置 电极支撑 射频能量 电连接 位置处 耦合到 安置 分隔 配置
【权利要求书】:

1.一种耦合到用于包含负载的密闭结构的热提高系统,其特征在于,所述热提高系统包括:

多个架支撑结构,其安置于所述热提高系统的腔内,其中所述多个架支撑结构被配置成将可重新定位电极支撑在所述腔内的多个位置处;

第一电极,其安置于所述密闭结构的第一表面处;

所述可重新定位电极安置于所述密闭结构内以便将所述腔分隔成单独容积;和

射频信号源,其电连接到所述第一电极和所述可重新定位电极中的一个或两个,所述射频信号源被配置成将射频能量提供到所述第一电极和所述可重新定位电极中的任一个或两个。

2.根据权利要求1所述的热提高系统,其特征在于,所述多个架支撑结构包括:

多个轨,其安置于所述密闭结构的第二和第三表面上,其中所述第二表面与所述第三表面相对,且其中所述可重新定位电极由安置于所述第二表面上的第一轨和安置于所述第三表面上的第二轨支撑。

3.根据权利要求2所述的热提高系统,其特征在于,所述可重新定位电极可移除,且所述可重新定位电极被配置成当由所述第一和第二轨支撑时限定第一和第二容积,且被配置成当由所述多个轨中的第三和第四轨支撑时限定第三和第四容积,其中所述第三容积不同于所述第一容积。

4.根据权利要求1所述的热提高系统,其特征在于,所述可重新定位电极至少部分地为金属,其中所述可重新定位电极包括上部表面,所述上部表面具有至少与所述第一电极的第二表面积一样大的第一表面积,且其中所述可重新定位电极的所述上部表面与所述第一电极的下部表面相对。

5.根据权利要求1所述的热提高系统,其特征在于,所述可重新定位电极通过所述多个架支撑结构电接地。

6.根据权利要求1所述的热提高系统,其特征在于,进一步包括:

可重新定位架,其包括所述可重新定位电极,其中所述可重新定位架的至少一部分是非导电的,所述可重新定位电极是电浮置的,且所述可重新定位架由所述多个架支撑结构中的一对架支撑结构支撑。

7.根据权利要求1所述的热提高系统,其特征在于,进一步包括:

可变阻抗匹配网络,其连接于所述射频信号源与所述第一电极和所述可重新定位电极中的任一个或两个之间且具有可变阻抗,其中所述可变阻抗匹配网络被配置成基于选自由以下组成的组的所述射频信号源的一个或多个参数调节所述可变阻抗:反射功率、前向和反射功率两者,以及S11参数。

8.一种系统,其特征在于,包括:

密闭结构,其形成腔;

第一电极,其安置于所述腔中;

多个支撑结构,其安置于所述腔中的多个高度处;和

第二电极,其安置于所述腔中,所述第二电极可移除且被配置成当由所述多个支撑结构中的第一支撑结构支撑时将所述腔分隔成第一和第二容积,且被配置成当由所述多个支撑结构中的第二支撑结构支撑时将所述腔分隔成第三和第四容积;和

射频信号源,其将射频能量供应到所述第一电极或所述第二电极中的任一个或两个。

9.一种热提高系统,其特征在于,包括:

密闭结构,其形成腔;

电极,其安置于所述密闭结构的上部内表面处;

可重新定位电极,其跨所述腔安置以便将所述腔分隔成第一和第二容积;

第一支撑结构,其安置于所述密闭结构的第一侧壁处;

第二支撑结构,其安置于所述密闭结构的与所述第一侧壁相对的第二侧壁处,所述可重新定位电极与所述第一和第二支撑结构可移除地接合;和

射频信号源,其电连接到所述电极或所述可重新定位电极中的任一个或两个,所述射频信号源被配置成将射频能量提供到所述电极或所述可重新定位电极中的任一个或两个。

10.根据权利要求9所述的热提高系统,其特征在于,所述可重新定位电极是电浮置的,且所述第一和第二支撑结构各自包括电介质材料。

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