[发明专利]一种新型宽带高增益片上基片集成波导天线有效

专利信息
申请号: 201811209853.0 申请日: 2018-10-17
公开(公告)号: CN109524776B 公开(公告)日: 2019-12-24
发明(设计)人: 腾云龙;傅海鹏;安文星;马建国;张齐军;张新 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: H01Q1/38 分类号: H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q13/18
代理公司: 12107 天津市三利专利商标代理有限公司 代理人: 徐金生
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 天线 基片集成波导 底部金属层 集成波导 片上天线 天线主体 贴片天线 新型宽带 高增益 上基片 谐振腔 横向中间位置 单层金属层 顶部金属层 中间金属层 从上到下 辐射效率 水平分布 一体成型 纵向分布 低增益 微带线 窄带 带宽 环绕 外部
【权利要求书】:

1.一种新型宽带高增益片上基片集成波导天线,其特征在于,包括天线主体(4),所述天线主体(4)包括第一部分(41)和第二部分(42),所述第一部分(41)位于第二部分(42)的后侧;

所述第一部分(41)包括从上到下分布的一层顶部金属层、多个中间金属层以及一层底部金属层;

所述第二部分(42)包括水平分布的单层金属层,所述第二部分(42)包括的单层金属层与所述第一部分(41)的底部金属层位于同一平面且一体成型;

所述第一部分(41)中具有一个矩形的基片集成波导谐振腔(2);

所述基片集成波导谐振腔(2)中具有矩形的贴片天线(1);

所述贴片天线(1)的四周外部环绕有缝隙(3);

所述第二部分(42)的横向中间位置具有纵向分布的微带线(4);

基片集成波导谐振腔(2)作为中空的腔室,其四周侧壁由第一部分(41)的多个中间层的切面组成;

所述基片集成波导谐振腔(2)的上下两侧分别为金属层;

所述基片集成波导谐振腔(2)上侧的金属层为所述第一部分(41)具有的顶部金属层;

所述基片集成波导谐振腔(2)下侧的金属层为所述第一部分(41)具有的底部金属层;

所述基片集成波导谐振腔(2)里面填充有二氧化硅介质;

所述贴片天线(1)的上下两侧分别为金属层;

所述贴片天线(1)的上侧金属层为所述基片集成波导谐振腔(2)上侧的金属层;

所述贴片天线(1)的下侧金属层为所述基片集成波导谐振腔(2)下侧的金属层;

所述贴片天线(1)的顶部金属层和底部金属层之间填充有二氧化硅介质。

2.如权利要求1所述的新型宽带高增益片上基片集成波导天线,其特征在于,所述贴片天线(1)的长度和宽度之比为2:1。

3.如权利要求1所述的新型宽带高增益片上基片集成波导天线,其特征在于,所述缝隙(3)位于所述基片集成波导谐振腔(2)上侧的金属层上。

4.如权利要求1所述的新型宽带高增益片上基片集成波导天线,其特征在于,所述微带线(40)的上下两侧分别为金属层;

所述微带线(40)下侧的金属层即为所述第二部分(42)包括的单层金属层;

所述贴片天线(1)上侧的金属层和下侧的金属层之间填充有二氧化硅介质;

所述贴片天线(1)上侧的金属层与所述第一部分(41)的顶部金属层位于同一平面且一体成型。

5.如权利要求2至4中任一项所述的新型宽带高增益片上基片集成波导天线,其特征在于,所述基片集成波导谐振腔(2)的前端具有一个开口(5);

所述开口(5)位于所述基片集成波导谐振腔(2)上侧的金属层和下层的金属层之间的位置,并且所述开口(5)以微带线(40)的中心线进行左右对称分布。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811209853.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top