[发明专利]镀膜装置及镀膜方法

说明书

本申请涉及一种镀膜装置及镀膜方法。所述镀膜装置包括至少两个载体、腔室、至少两个传感器和传输控制装置。根据所述传感器检测所述载体的位置信息，所述传输控制装置可以控制所述载体的移动速度，从而控制所述载体在镀膜区域时实现无缝搭接的目的，避免相邻的所述载体在所述镀膜区域出现间隔，影响溅射工艺的进行。

技术领域

本申请涉及镀膜技术领域，特别是涉及镀膜装置及镀膜方法。

背景技术

ITO(Indium Tin Oxide，掺锡氧化铟或氧化铟锡)薄膜是一种n型半导体，具有较高的可见光透过率和导向率，且与大部分衬底具有良好的附着性，还具有较强的硬度及良好的抗酸、碱及有机溶剂能力。因其良好的物理、化学性能，被广泛应用于光电器件中，比如液晶显示器、太阳能电池、等离子显示器等。

ITO薄膜的制备方法很多，常见的有喷涂法、真空蒸发法、化学气相沉积、反应粒子离入、磁控溅射等。由于磁控溅射具有良好的可控性及易于获得大面积的均匀的薄膜，应用比较普遍。但是传统的磁控溅射使用的载体在进行磁控溅射的过程中往往会引起真空腔室被污染、影响真空气场环境、甚至影响溅射靶材的利用率等情况。

发明内容

基于此，有必要提供一种不易引起真空腔室污染、不易影响真空气场环境及溅射靶材利用率的镀膜装置及镀膜方法。

一种镀膜装置，包括：

移动进入腔室内的至少两个载体；

至少两个传感器，间隔设置，用以检测所述载体的位置信息；

传输控制装置，与所述至少两个传感器电连接，用于根据所述载体的位置信息，调整所述载体的移动速度，以使相邻的两个所述载体在预设的镀膜区域内处于搭接状态。

在一个实施例中，所述至少两个载体包括：相邻的第一载体和第二载体，所述第一载体先于所述第二载体进入所述腔室；

所述至少两个传感器包括：

第一传感器，与所述传输控制装置电连接，用于在第一指定位置检测到所述第一载体后，将所述第一指定位置作为所述第一载体的位置信息，传输至所述传输控制装置，以使所述传输控制装置控制所述第一载体以第一速度移动；以及

第二传感器，与所述传输控制装置电连接，用于在第二指定位置检测到所述第二载体后，将所述第二指定位置作为所述第二载体的位置信息，传输至所述传输控制装置，以使所述传输控制装置控制所述第二载体以第二速度移动，直至所述第二载体搭接在所述第一载体，所述传输控制装置控制所述第二载体以第一速度移动，其中第二速度大于第一速度。

在一个实施例中，所述载体包括：

本体，用于承载待处理产品；

第一折弯结构，包括第一侧壁及第一搭接面，所述第一侧壁两端分别与所述本体一端及所述第一搭接面连接；以及

第二折弯结构，包括第二侧壁及第二搭接面，所述第二侧壁两端分别与所述本体另一端及所述第二搭接面连接；

其中，所述第二载体的所述第二搭接面与所述第一载体的所述第一搭接面搭接。

在一个实施例中，所述第一传感器与所述第二传感器之间的距离为第一距离；

所述第二载体的所述第二侧壁在第一方向上的投影长度，加上，所述第二载体的所述第二搭接面和所述第一载体的所述第一搭接面搭接长度，再加上所述第一载体的所述第一侧壁在第一方向上的投影长度为第二距离；

所述第一距离等于所述第二距离。

在一个实施例中，所述传输控制装置根据所述第一载体的长度、所述第二载体的长度、所述第一距离、所述第一速度和所述第二速度计算所述第二载体搭接在所述第一载体的预设运动时间；