[发明专利]闪存自检的方法、固态硬盘以及存储装置

说明书

本发明公开了一种闪存自检的方法、固态硬盘以及存储装置。该闪存自检的方法包括：检测是否触发闪存进行自检；若检测结果为触发闪存进行自检，则根据闪存的工作状态触发闪存进行自检。通过上述方式，本发明能够根据闪存的工作状态触发闪存进行自检，能够自适应调整自检，提前发现并消除滞留错误，满足主机对闪存进行读写操作的性能指标的同时，避免闪存产生滞留错误。

技术领域

本申请涉及存储技术领域，特别是涉及一种闪存自检的方法、固态硬盘以及存储装置。

背景技术

闪存中的闪存单元(Flash cell)使用浮动栅晶体管(Floating GateTransistor)的电压值来表示存储的数据。以闪存为MLC(Multi Level Cell)为例来说，每个闪存单元可以存储两个比特的数据：LSB(Least Significant Bit)和MSB(MostSignificant Bit)，因此，每个闪存单元有四种工作状态(如图1所示)，分别为状态1、状态2、状态3和状态4。

其中，状态1为擦除态，电压值最小，闪存单元存储的数据为11；状态2或状态3为非完全写入态，电压值介于擦除态和完全态之间，闪存单元存储的数据为10或01；状态4为完全态，电压最大，闪存单元存储的数据为00。具体来说，如果浮动栅晶体管电压值小于参考电压1，则认为闪存单元存储的数据为11，如果浮动栅晶体管电压值介于参考电压1和参考电压2之间，则认为闪存单元存储的数据为10，如果浮动栅晶体管电压值介于参考电压2和参考电压3之间，则认为闪存单元存储的数据是01，如果浮动栅晶体管电压值大于参考电压3，则认为闪存单元存储的数据是00。

当闪存长期不使用(比如长期掉电状态)，那么闪存单元中的电子会发生泄漏，其电压值会降低，分布状态会发生偏移，从而产生滞留错误(Retention Error)。如图2所示，例如某个闪存单元最初写入的数据为01，为状态3，电压值介于参考电压2和参考电压3之间，之后固态硬盘中的闪存处于偶尔使用状态，即偶尔上电，且上电期间没有读写该闪存单元，那么该闪存单元上的电子会渐渐泄漏，电压值渐渐减小，当这种变化持续的时间足够久，其电压值会降低至小于参考电压2，即该闪存单元由状态3变为了状态2。之后如果读取该闪存单元，则读取到的电压值可能介于参考电压1和参考电压2之间，则判断存储的数据为10，即发生滞留错误。

当前技术中对抗滞留错误的办法是在固态硬盘中使用纠错算法。具体来说，当主机从固态硬盘的闪存中读取数据时，当读出的数据发生了滞留错误也即比特位翻转则启用纠错算法尝试纠正，如果能纠正则把纠正后的数据传给主机，如果发生滞留错误的位数较多，纠错算法无法纠正，则上报主机发生了不可纠正的错误。

现有技术是在读取数据时对滞留错误进行纠错算法纠错，如果固态硬盘的闪存中的数据滞留时间较长，发生滞留错误的位数会随着滞留时间而变多，那么会大概率发生不可纠正的错误，从而使得主机丢失数据，这是用户无法容忍的。特别是，如果主机写了一笔数据后，长期不读(比如几年都不读)，那么百分百会发生不可纠正的错误，这是需要避免的。

发明内容

本申请提供一种闪存自检的方法、固态硬盘以及存储装置，能够降低闪存的滞留错误，进而大大降低闪存中数据丢失的概率。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种闪存自检的方法，该方法包括：检测是否触发闪存进行自检；若检测结果为触发闪存进行自检，则根据闪存的工作状态触发闪存进行自检。

其中，检测是否触发闪存进行自检的步骤包括：检测闪存的工作状态；若检测结果为闪存处于第一工作状态，则在空闲期触发闪存进行自检。

其中，检测是否触发闪存进行自检的步骤包括：检测闪存的工作状态；若检测结果为闪存处于第二工作状态，检测闪存的工作时间是否超过预定时间的阈值；若检测结果为闪存的工作周期超过预定时间的阈值，则触发闪存进行自检。

其中，预定时间的阈值由闪存的擦除次数和纠错算法的纠错能力确定。