[发明专利]核壳结构纳米晶的制备方法

权利要求书

1.一种核壳结构纳米晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供量子点核，将所述量子点核分散在含有有机胺的溶液中进行加热处理；

在所述量子点核表面进行N次壳层生长，制备N层壳层，得到核壳结构纳米晶，用于所述壳生长的壳源包括壳源阳离子前驱体和壳源阴离子前驱体，所述壳源阳离子前驱体为金属有机羧酸盐；

在不同次序的M次相邻壳层生长步骤之间，向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入有机胺进行混合和加热后，再进行后一壳层的生长；

其中，N为大于等于2的正整数；

M为正整数，且M的取值满足：N/3≤M≤N-1。

2.如权利要求1所述的核壳结构纳米晶的制备方法，其特征在于，将所述量子点核分散在含有有机胺的溶液中进行加热处理的步骤中，按照所述量子点核与所述有机胺试剂的质量摩尔比为10mg:(3～10mmol)，将所述量子点核分散在含有有机胺的溶液中。

3.如权利要求2所述的核壳结构纳米晶的制备方法，其特征在于，将所述量子点核分散在含有有机胺的溶液中进行加热处理的步骤中，所述修饰处理的条件为：将所述量子点核分散在含有有机胺的溶液中，在温度为80-150℃的条件下加热20-60min。

4.如权利要求1-3任一项所述的核壳结构纳米晶的制备方法，其特征在于，M＝N-1。

5.如权利要求1所述的核壳结构纳米晶的制备方法，其特征在于，在所述的不同次序的M次相邻壳层生长步骤之间，包括在不同次序的L次的相邻壳层生长步骤之间，向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入有机胺和有机膦进行混合和加热后，再进行后一壳层的生长，其中，L为正整数，且L≤M。

6.如权利要求5所述的核壳结构纳米晶的制备方法，其特征在于，L＝M＝N-1。

7.如权利要求1所述的核壳结构纳米晶的制备方法，其特征在于，当M<N-1时，还包括在不同次序的S次相邻壳层生长步骤之间，向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入有机膦进行混合和加热后，再进行后一壳层的生长的步骤，其中，所述S次相邻壳层生长步骤之间是指未向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入有机胺或有机胺和有机膦进行混合和加热处理的相邻壳层生长步骤之间，所述S为正整数，且1≤S≤(N-1)-M。

8.如权利要求1-3任一项所述的核壳结构纳米晶的制备方法，其特征在于，制备的N层壳层中，每一层壳层厚度为0.1-2nm，N的取值范围为6-18。

9.如权利要求1所述的核壳结构纳米晶的制备方法，其特征在于，在不同次序的M次相邻壳层生长步骤之间，向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入有机胺进行混合和加热后再进行后一壳层的生长的步骤中，按所述有机胺摩尔与所述量子点核的质量比为(0.2～0.9mmol):10mg向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入有机胺。

10.如权利要求5所述的核壳结构纳米晶的制备方法，其特征在于，在不同次序的L次的相邻壳层生长步骤之间，向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入有机胺和有机膦进行混合和加热后，再进行后一壳层的生长的步骤中，按所述有机胺和有机膦的摩尔量之和与所述量子点核的质量比为(0.2～0.9mmol):10mg向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入有机胺和有机膦。

11.如权利要求7所述的核壳结构纳米晶的制备方法，其特征在于，在不同次序的S次相邻壳层生长步骤之间，向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入有机膦单进行混合和加热后，再进行后一壳层的生长的步骤中，按所述有机膦摩尔与所述量子点核的质量比为(0.2～0.9mmol):10mg向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入有机膦。