[发明专利]一种高线性度的可变增益放大器以及电子装置

权利要求书

1.一种可变增益放大器，其特征在于，包括：

第一跨导级电路和第二跨导级电路，所述第一跨导级电路包括：第一放大电路和第二放大电路，所述第二跨导级电路包括：第三放大电路和第四放大电路，所述第一放大电路和所述第四放大电路构成差分输入对，所述第二放大电路和所述第三放大电路构成差分输入对；

其中，所述第一放大电路，所述第二放大电路，所述第三放大电路和所述第四放大电路中的每个放大电路包括：多个并联的晶体管，且所述多个并联的 晶体管的偏压控制相互独立；

其中，所述多个并联的晶体管包括2N个晶体管，N为大于等于2的正整数，且所述多个并联的晶体管的偏压控制相互独立还包括：所述2N个晶体管中每个晶体管有各自的偏压控制输入，并在所述偏压控制下产生至少三个不同的工作电流。

2.如权利要求1所述的可变增益放大器，其特征在于，所述2N个晶体管的尺寸不完全相同。

3.如权利要求1或2任一所述的可变增益放大器，其特征在于，所述第一放大电路，所述第二放大电路，所述第三放大电路和所述第四放大电路各自输出的偏置电流满足如下关系：

|i_p2+i_n1|＝|i_n2+i_p1|＝C；

其中，i_p1为所述第一放大电路输出的偏置电流，i_p2为所述第二放大电路输出的偏置电流，i_n1为所述第三放大电路输出的偏置电流，i_n2为所述第四放大电路输出的偏置电流，C为常数。

4.如权利要求3所述的可变增益放大器，其特征在于，当所述可变增益放大器的增益从最大增益状态向下切换时，在由所述第一放大电路和所述第四放大电路，和/或，由所述第二放大电路和所述第三放大电路构成的任一差分输入对中，一个放电电路中的偏置电流递减，而另一个放大电路中的偏置电流递增。

5.如权利要求1所述的可变增益放大器，其特征在于，

还包括：

第一退化电路和第二退化电路，其中，所述第一退化电路用于改变所述第一跨导级电路中的各晶体管输出的偏置电流的线性度，所述第二退化电路用于改变所述第二跨导级电路中的各晶体管输出的偏置电流的线性度。

6.如权利要求5所述的可变增益放大器，其特征在于，所述第一退化电路和所述第二退化电路中的任一退化电路包括电阻或电感中的至少一种。

7.如权利要求1所述的可变增益放大器，其特征在于，所述可变增益放大器包括正整数位的增益控制，其中，所述可变增益放大器的增益调整步进由所述增益控制的位数决定。

8.如权利要求7所述的可变增益放大器，其特征在于，所述可变增益放大器针对每个增益档位设置不同的电流变化量。

9.如权利要求1所述的可变增益放大器，其特征在于，

所述第一放大电路和所述第四放大电路构成差分输入对，包括：

所述第一放大电路用于接收第一电压信号，所述第四放大电路用于接收第二电压信号；

所述第二放大电路和所述第三放大电路构成差分输入对，包括：

所述第二放大电路用于接收所述第一电压信号，所述第三放大电路用于接收所述第二电压信号；

其中，所述第一电压信号和所述第二电压信号为一对差分输入信号。

10.如权利要求1所述的可变增益放大器，其特征在于，所述多个并联的 晶体管为金属氧化物半导体(MOS)管。

11.如权利要求5或6任一所述的可变增益放大器，其特征在于，所述多个并联的 晶体管为金属氧化物半导体(MOS)管，且在每个放大电路中，所述多个并联的 晶体管的栅极用于分别接收输入电压，所述多个并联的 晶体管的源极分别用于通过所述第一退化电路或所述第二退化电路耦合接地，所述多个并联的 晶体管的漏极短接在一起，并用于输出偏置电流。