[发明专利]光学邻近矫正方法

说明书

本发明提供了一种优化集成电路电源线周围热点图形工艺窗口的光学邻近矫正方法，包括获取该光学邻近矫正目标层的亚分辨率辅助图形规则；计算第一目标宽度W1和第二目标宽度W2，选择需要添加亚分辨率辅助图形的目标电源线，根据第一预设规则对所述目标电源线进行扩展，对符合第二预设规则的目标电源线添加亚分辨率辅助图形，对第五步形成的目标电源线生成光学邻近矫正目标层，根据第三预设规则对添加的亚分辨率辅助图形进行修正，基于光学邻近矫正目标层和修正后的亚分辨率辅助图形，添加光学邻近矫正亚分辨率辅助图形，进行后续光学邻近矫正修正。

技术领域

本发明涉及集成电路领域，尤其是涉及一种优化集成电路电源线(power line)周围热点图形工艺窗口关键尺寸(CD)的光学邻近矫正(OPC)方法。

背景技术

随着半导体技术的发展，器件关键尺寸越来越小，工艺节点达到28纳米及以下时，一般都采用将一层版图拆分成多层，光刻工艺进行多次曝光的方法，用以解决DUV光刻机光源波长达到极限的限制。关键尺寸越来越小，对于未使用多层拆分的版图的OPC修正则遇到的是前所未有的难度，版图中的线宽和间距均是机台所能承受的极限值，所以OPC的难度是非常巨大的。

亚分辨率辅助图形(SRAF)已经广泛应用于40nm及以下光学邻近矫正(OPC)。一般情况下，光学邻近矫正根据目标层(target layer)添加亚分辨率辅助图形(SRAF)。亚分辨率辅助图形(SRAF)宽度、亚分辨率辅助图形(SRAF)长度、亚分辨率辅助图形(SRAF)到目标层的距离、亚分辨率辅助图形(SRAF)之间的距离都有严格定义。如果目标层不规则、不连续(target layer jog)，可能无法添加连续的亚分辨率辅助图形(SRAF)；如果目标层(targetlayer)到亚分辨率辅助图形(SRAF)距离不足，可能根本无法添加亚分辨率辅助图形(SRAF)。在电源线(power line)附近，亚分辨率辅助图形(SRAF)不连续、甚至无法添加的情况尤其突出。因此，电源线(power line)周围热点图形数量明显多于其他区域，造成光学邻近矫正结果误差。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种能优化电源线周围热点图形工艺窗口CD(关键尺寸)的光学邻近矫正(OPC)方法。

为解决上述技术问题，本发明提供一种优化集成电路电源线周围热点图形工艺窗口的光学邻近矫正方法，包括以下步骤：

第一步，获取该光学邻近矫正目标层的亚分辨率辅助图形规则；

第二步，根据所述亚分辨率辅助图形规则计算第一目标宽度W1和第二目标宽度W2；所述第一目标宽度W1是能加入一根亚分辨率辅助图形目标电源线的最小宽度，所述第二目标宽度W2是能加入两根亚分辨率辅助图形目标电源线的最小宽度；

第三步，选择需要添加亚分辨率辅助图形的目标电源线；

第四步，根据第一预设规则对所述目标电源线进行扩展；

第五步，根据所述亚分辨率辅助图形规则对符合第二预设规则的目标电源线添加亚分辨率辅助图形；

第六步，对第五步形成的目标电源线生成光学邻近矫正目标层；

第七步，根据第三预设规则对添加的亚分辨率辅助图形进行修正；

第八步，基于第六步生成的光学邻近矫正目标层和第七步修正后的亚分辨率辅助图形，添加光学邻近矫正亚分辨率辅助图形，进行后续光学邻近矫正修正。

进一步改进所述的光学邻近矫正方法，第一步中，所述已知该光学邻近矫正层次的亚分辨率辅助图形规则包括：

亚分辨率辅助图形最小宽度sw，亚分辨率辅助图形到目标电源线target的最小距离sm，亚分辨率辅助图形到亚分辨率辅助图形的最小距离ss，亚分辨率辅助图形最短长度sl。