[发明专利]一种增加负离子迁移距离的发生器有效
申请号: | 201811150505.0 | 申请日: | 2018-09-29 |
公开(公告)号: | CN110970799B | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 季国荣 | 申请(专利权)人: | 浙江纳尔瓦智能科技有限公司 |
主分类号: | H01T23/00 | 分类号: | H01T23/00;H01T19/04;H05K9/00 |
代理公司: | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人: | 戚小琴 |
地址: | 314504 浙江省嘉兴*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 增加 负离子 迁移 距离 发生器 | ||
1.一种增加负离子迁移距离的发生器,包括绝缘支架(1)、放电装置(2)和电场屏蔽装置(3),所述放电装置(2)包括固定连接于绝缘支架(1)的针尖(4)和与针尖(4)电连接的电源,所述电源为针尖(4)尖端放电提供直流负压,所述电场屏蔽装置(3)包括固定连接于绝缘支架(1)的金属枪筒(7),所述枪筒(7)为两端开口并且接地,所述针尖(4)的尖端与枪筒(7)的开口靠近并且所述枪筒(7)的开口朝向针尖(4)的尖端,所述针尖(4)的尖端与枪筒(7)端面留有间距,所述间距大于或者等于0;
所述枪筒(7)连接有屏蔽电路,所述屏蔽电路包括第四三极管Q44、电阻R1、第一三极管Q41、电阻R41、第二三极管Q42和第三三极管Q43;所述电阻R1的一端和第四三极管Q44的基极相连,另一端与枪筒(7)电连接,所述第四三极管Q44的基极和发射极之间并联有稳压管D1、电容C1、电阻R46,所述第四三极管Q44的发射极与第一三极管Q41的集电极相连;所述电阻R41的一端和第一三极管Q41的基极相连,所述第一三极管Q41的基极和集电极之间接有电阻R42;所述第二三极管Q42的发射极接地,其集电极通过输出端J3-2和中央处理器相连,所述第二三极管Q42基极通过电阻R43和第三三极管Q43的集电极相连;所述第三三极管Q43的基极通过电阻R45和第四三极管Q44的集电极相连,所述第四三极管Q44的集电极连接有电容C2,所述电容C2另一端接地,第三三极管Q43的集电极通过R44和第一三极管Q41的集电极相连,第三三极管Q43的发射极接地。
2.根据权利要求1所述的一种增加负离子迁移距离的发生器,其特征是:所述针尖(4)与枪筒(7)呈同轴设置。
3.根据权利要求1所述的一种增加负离子迁移距离的发生器,其特征是:所述绝缘支架(1)周向开设若干安装孔(6),所述枪筒(7)有多个并且同轴固定连接于安装孔(6)内,所述绝缘支架(1)固定连接有与电源电连接的金属连接片(14),所述连接片(14)同时与所有针尖(4)固定连接。
4.根据权利要求3所述的一种增加负离子迁移距离的发生器,其特征是:所述安装孔(6)周向开设于绝缘支架(1),所述绝缘支架(1)螺纹连接有同时与多个枪筒(7)抵触的接地螺栓(8),所述接地螺栓(8)连接有接地线(9),所述连接片(14)呈环形。
5.根据权利要求1所述的一种增加负离子迁移距离的发生器,其特征是:所述电源为直流负高压发生器(5),所述直流负高压发生器(5)的输出端子与针尖(4)电连接。
6.根据权利要求1所述的一种增加负离子迁移距离的发生器,其特征是:第一三极管Q41的集电极与直流负高压发生器(5)输入端连接,所述第一三极管Q41的发射极通过电源端J3-4与12V电源连接;当枪筒(7)收到信号,通过二级放大电路的输出端J3-2送给中央处理器,由中央处理器发出指令,使控制端J3-3的输出信号为0或1,从而通过第一三极管Q41控制直流负高压发生器(5)输入端电压为0或12V。
7.根据权利要求1所述的一种增加负离子迁移距离的发生器,其特征是:所述针尖(4)的长度为10mm~20mm。
8.根据权利要求1所述的一种增加负离子迁移距离的发生器,其特征是:所述枪筒(7)的直径为15mm~30mm,所述枪筒(7)的长度为15mm~30mm,所述枪筒(7)与针尖(4)的尖端之间的间距为5mm~10mm。
9.根据权利要求1所述的一种增加负离子迁移距离的发生器,其特征是:所述针尖(4)由金属材质制成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江纳尔瓦智能科技有限公司,未经浙江纳尔瓦智能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811150505.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。