[发明专利]倍缩光罩的检测方法

说明书

一种检测倍缩光罩的方法，包括：通过在相对于倍缩光罩表面的参考表面高度的倍缩光罩表面的第一高度以光源扫描倍缩光罩表面，获得在第一高度的倍缩光罩的表面的第一图像，且通过在相对于倍缩光罩表面的参考表面高度的倍缩光罩表面的第二高度以光源扫描倍缩光罩表面，获得在第二高度的倍缩光罩的表面的第二图像，第二高度与第一高度不同，第一高度与第二高度之间的距离小于倍缩光罩的厚度，结合第一图像以及第二图像以获得倍缩光罩的表面轮廓图像。

技术领域

本公开实施例涉及用于微影的方法以及设备，特别涉及检测用于半导体集成电路的制造的倍缩光罩(reticle)，且更特别涉及检测倍缩光罩的背面的方法。

背景技术

随着半导体产业进展至追求更高的装置密度、更高的性能、以及更低的成本的纳米科技工艺节点，用于光微影的辐射的波长已经从紫外线(ultraviolet,UV)降低至深紫外线(deep ultraviolet,DUV)，且最近更降低至极紫外线(extreme ultraviolet,EUV)。组件尺寸的进一步缩小需要光微影的分辨率的进一步进展，其可以使用极紫外光微影(extremeultraviolet lithography,EUVL)实现。因为大多数材料的透射率在极紫外光波长显著地降低，极紫外光微影使用反射倍缩光罩，而非传统遮罩，传统遮罩是用图案化透明板在光刻胶层中产生图案。

因为通过极紫外光微影产生的图案具有在数纳米的范围的特征尺寸，维持极紫外光倍缩光罩的反射表面的平坦度对于防止图案的变形是重要的。这些要求已经造成用于检测倍缩光罩以及检测极紫外光倍缩光罩的正背面上的污染物的设备以及方法的发展，且这些发展持续演进。

发明内容

在本公开的一些实施例中，提供一种检测倍缩光罩的方法，包括通过在相对于倍缩光罩表面的参考表面高度的倍缩光罩表面的第一高度以光源扫描倍缩光罩表面，获得在第一高度的倍缩光罩的表面的第一图像，且通过在相对于倍缩光罩表面的参考表面高度的倍缩光罩表面的第二高度以光源扫描倍缩光罩表面，获得在第二高度的倍缩光罩的表面的第二图像，第二高度与第一高度不同，第一高度与第二高度之间的距离小于倍缩光罩的厚度，结合第一图像以及第二图像以获得倍缩光罩的表面轮廓图像。

在本公开的一些实施例中，提供一种倍缩光罩检测系统，倍缩光罩检测系统包括倍缩光罩平台、扫描光源、光检测器、控制器、以及处理器。倍缩光罩平台在其上放置待扫描的倍缩光罩，扫描光源引导辐射至倍缩光罩，光检测器检测从倍缩光罩的表面反射及/或散射的辐射。控制器经程序化以控制倍缩光罩检测系统在多个不同高度重复倍缩光罩的表面的扫描多次，以获得多个图像。处理器经程序化以结合多个图像以获得倍缩光罩的表面轮廓图像，且分析表面轮廓图像以判定是否接受倍缩光罩、修复倍缩光罩、或拒绝倍缩光罩。

在本公开的一些实施例中，提供一种用于获得倍缩光罩表面的表面轮廓映像的设备，设备包括扫描器、成像装置、控制器、以及处理器，扫描器包括光源以及光束操纵机构，光束操纵机构配置成在倍缩光罩表面的指定高度横越倍缩光罩表面、扫描通过光源提供的光，成像装置配置成检测由倍缩光罩表面反射及/或散射的光。控制器经程序化以使得成像装置在多个高度获得倍缩光罩表面的多个图像，且处理器经程序化以结合在多个高度的倍缩光罩表面的多个图像，以获得倍缩光罩表面的表面轮廓映像。

附图说明

图1A是极紫外光微影系统的示意图。

图1B是极紫外光微影工具的细节的简化示意图。

图2是示意性地示出关于本公开的一些实施例的遮罩固持机构。

图3A是示出由于污染物以及其他因素导致倍缩光罩变形的形貌。

图3B是示出由于污染物以及其他因素导致倍缩光罩变形的形貌的影响。

图4A是示意性地示出根据本公开的一些实施例，用于检测倍缩光罩的背面的设备。