[发明专利]芯片制造过程中的缺陷检测方法

说明书

本发明公开了一种芯片制造过程中的缺陷检测方法，包括：步骤一、在版图设计阶段设计出芯片制造过程中各工艺层的原点对准标记；步骤二、进行芯片制造并依次形成各工艺层，每一工艺层完成之后需进行缺陷检测；包括分步骤：步骤21、确定当前工艺层的原点坐标；步骤22、进行缺陷检测得到当前工艺层的第一缺陷分布图；步骤23、判断当前工艺层是否具有前一层工艺层；如果没有前一层工艺层，则以第一缺陷分布图作为当前工艺层的最终缺陷分布图；如果具有前一层工艺层，则以第一缺陷分布图扣除前层工艺层的最终缺陷分布图得到当前工艺层的最终缺陷分布图。本发明能将排除当前工艺层中的前层工艺层的缺陷，能降低当前工艺层的缺陷分析成本。

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种芯片制造过程中的缺陷检测方法。

背景技术

在芯片制造过程中，在各工艺层次完成之后都需要进行缺陷检测。在半导体集成电路制造领域中，通常采用厂商名为KLA-Tencor公司提供的设备即KLA缺陷检测设备进行缺陷检测。

由于KLA缺陷检测是穿插在不同工艺阶段进行，前层工艺层的缺陷由于透光或者被膜质覆盖会导致之后一层的当前工艺层在检测时仍会被筛出，也即在当前工艺层所测试的缺陷中会包括有来自前层工艺层中的缺陷。为了不干扰当前工艺层的缺陷分析，现有方法是通过对前后工艺层的缺陷在芯片的位置坐标进行计算并通过设置容差(tolrence)来过滤掉，也即，通过位置坐标来讲来自于前层工艺层的缺陷在当前工艺层的测试结果中过滤掉。

这就要求每一层检测文件设定的坐标原点尽可能一致。然而接触孔(CT)和通孔(VIA)等孔工艺中，通常会形成TiN层，由于被TIN层覆盖后下层即前层工艺层几乎不透光，无法找到并利用下层坐标原点的位置，导致该当前工艺层的原点坐标通常偏离前层工艺层，这样的测试结果非常容易把前层工艺层的缺陷重复检出并误以为是当前工艺层的缺陷，从而增加了分析成本。如图1A所示，是现有芯片制造过程中的缺陷检测方法测试得到当前工艺层的缺陷分布图；在缺陷分布图101中包括了多个由黑点表示的缺陷201，在缺陷201中实际上包括了前层工艺层的缺陷；但

如图1B所示，是图1A对于的前层工艺层的缺陷分布图，缺陷分布图102包括了多个由黑点表示的缺陷202。

在现有方法中，由于缺陷分布图101的缺陷201中包括了前层工艺层对应的缺陷202。但是由于缺陷分布图101和102的原点坐标不同，使得缺陷202在缺陷分布图101和102的坐标位置不同，图1A中的空心圈点对应的缺陷202a的坐标位置和图1B的缺陷分布图102的缺陷202的坐标位置相同，但是和图1A中实际测试的属于前层工艺层的缺陷202的坐标位置不同，也即图1A中缺陷202a和所有的缺陷201都有偏离，故不能将缺陷201中属于前层工艺层的缺陷202排除。如图1C所示，是现有方法中将图1A排除图1B的缺陷后形成的当前工艺层的最终缺陷分布图，由于没有排除任何前层工艺层的缺陷202，故图1A中的测试的所有缺陷201都作为最终缺陷分布图103中的缺陷203；而实际上仅是位于标记204对应的圈中所对应的缺陷才属于当前工艺层的缺陷。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种芯片制造过程中的缺陷检测方法，能将前层工艺层的缺陷排除出当前工艺层的缺陷检测结果中，从而能降低当前工艺层的缺陷分析成本。

为解决上述技术问题，本发明提供的芯片制造过程中的缺陷检测方法包括如下步骤：

步骤一、在版图设计阶段设计出芯片制造过程中各工艺层的原点对准标记，所述原点对准标记的在芯片中的位置相同，所述原点对准标记用于在对应的工艺层的缺陷检测过程中定义出原点坐标。

步骤二、进行芯片制造并依次形成各工艺层，每一所述工艺层完成之后需进行缺陷检测；缺陷检测的分步骤包括：

步骤21、令所述缺陷检测对于的工艺层为当前工艺层；根据所述当前工艺层的原点对准标记确定所述当前工艺层的原点坐标。