[发明专利]无卤素聚合物共混物在审

专利信息
申请号: 201811140717.0 申请日: 2012-06-28
公开(公告)号: CN109320954A 公开(公告)日: 2019-02-12
发明(设计)人: J.希尔伯格;J.梅基 申请(专利权)人: 艾恩费斯公司
主分类号: C08L77/00 分类号: C08L77/00;C08L71/02;C08L75/08;C08K5/55;C08G69/48;B32B27/34
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 徐厚才;杨戬
地址: 芬兰*** 国省代码: 芬兰;FI
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摘要:
搜索关键词: 共混物 无卤素聚合物 聚合物 共聚物 聚醚 碱金属 弱配位阴离子 聚合物链段 离子络合物 碱土金属 离子导电 塑料材料 聚氨酯 离聚物 无卤素 阳离子 基基 嵌段 自聚 乙烯 添加剂 离子 跳跃 中和 申请
【权利要求书】:

1.能够离子电荷导电的无卤素聚合物共混物,其包含选自聚醚-嵌段-酰胺的一种或更多种基于聚醚的聚合物或共聚物;

其特征在于进一步包含一种或更多种包含弱配位阴离子和碱金属阳离子的特定无卤素离子络合物或盐,其中所述弱配位阴离子选自以硼为中心的络合物,其中二齿配体选自含有至少两个反应性基团的C2-C8脂族或芳族有机化合物,所述反应性基团选自-COOH和-OH。

2.权利要求1的共混物,其特征在于所述阳离子选自Na和K。

3.权利要求1的共混物,其特征在于一种或更多种基于聚醚的聚合物或一种或更多种基于聚醚的共聚物的量为所述共混物的10 – 99质量%。

4.权利要求1或2的共混物,其特征在于所述弱配位阴离子为双(草酸根合)硼酸根阴离子。

5.权利要求1或2的共混物,其特征在于所述离子络合物或盐以0.002–0.05毫摩尔/克所述聚合物共混物的量存在于所述共混物中。

6.权利要求1或2的共混物,其特征在于其进一步包含作为填料的聚合物材料,所述聚合物材料选自聚酰胺、聚酯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、基于聚酯的聚氨酯、及其共聚物。

7.权利要求1或2的共混物,其特征在于其进一步包含由乙烯酸共聚物的中和形成的一种或更多种离聚物。

8.权利要求7的共混物,其特征在于离聚物的含量为所述共混物的1–50质量%。

9.权利要求1至8中任意一项的共混物作为离子导电材料的组分的用途。

10.无卤素离子导电塑料材料,其特征在于其包含权利要求1至8中任意一项的聚合物共混物作为添加剂。

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