[发明专利]数据储存装置

说明书

本发明涉及数据储存装置的非挥发式存储器的命名空间规划，尤其涉及善用多通道优势并考量多通道使用特性的非挥发式存储器的命名空间规划。数据储存装置包括一非挥发式存储器以及一控制器。该控制器以多个通道存取该非挥发式存储器。在该非挥发式存储器上规划命名空间时，该控制器令这些通道都有配对命名空间。该控制器可更令各通道对应单一命名空间。

技术领域

本发明有关于数据储存装置，特别有关于非挥发式存储器的命名空间(namespace)配置。

背景技术

非挥发式存储器有多种形式─例如，快闪存储器(flash memory)、磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive RAM)、铁电随机存取存储器(Ferroelectric RAM)、电阻式随机存取存储器(Resistive RAM)、自旋转移力矩随机存取存储器(Spin Transfer Torque-RAM，STT-RAM)…等，用于长时间数据保存。

非挥发式存储器是先进行命名空间(namespace)规划再使用。主机下达的指令会指示系操作哪个命名空间；例如，对某命名空间的写入(write)、读取(read)、数据抹除(erase)操作。如何适当规划命名空间为本技术领域一项重要课题。

发明内容

本发明提出非挥发式存储器的一种命名空间(namespace)规划─特别将非挥发式存储器的操作效能纳入考量。

根据本发明一种实施方式所实现的数据储存装置包括一非挥发式存储器以及一控制器。该控制器以多个通道存取该非挥发式存储器。在该非挥发式存储器上规划命名空间时，该控制器令不同命名空间规划到的通道不重复。

一种实施方式中，原先就存在于该非挥发式存储器的命名空间系经解依附后交由该控制器重新规划，并由该控制器将其中数据搬移至新规划的空间。

一种实施方式中，该控制器令这些通道都有配对命名空间。这些通道的总数为X，上述命名空间的总数为Y，且各命名空间是以Z个通道操作，Z为X除以Y。各命名空间对应等量通道。

一种实施方式中，该控制器令各命名空间的尺寸需求由所对应的通道均分负责。该控制器可设定各通道负责哪些逻辑地址范围，以应付所对应的命名空间的尺寸需求。

一种实施方式中，该非挥发式存储器为快闪存储器，由一主机下达逻辑区块地址透过该控制器而控制。该控制器设定各通道负责哪些逻辑区块地址范围，以应付所对应的命名空间的尺寸需求。该控制器可以各通道闲置的区块进行垃圾回收以及抹写平均。同一命名空间所对应的通道可负责等量的逻辑区块地址范围，以应付该命名空间的尺寸需求。

下文特举实施例，并配合附图，详细说明本发明内容。

附图说明

图1根据本发明一种实施方式图解一数据储存装置100，控制器102处理来自主机104的存取指令并采用四通道CH#0…CH#3进行快闪存储器存取；

图2为流程图，根据本发明一种实施方式图解主机104如何下达命名空间规划要求；以及

图3A以及图3B为本发明一种实施方式建立命名空间方法的流程图，本发明建立命名空间的方法可用以对应主机104在步骤S202所发出的命名空间建立或命名空间管理指令。

符号说明

100～数据储存装置；

102～控制器；

104～主机；

B000…B31n～区块；

CH#0、CH#1、CH#2以及CH#3～通道；

Chip#0、Chip#1～晶片；