[发明专利]具有内部静电屏蔽的体声波（BAW）滤波器结构

权利要求书

1.一种具有内部屏蔽的体声波BAW滤波器结构，其包括：

衬底；

在所述衬底上方的多个换能器，所述多个换能器中的每一个包括底部电极、在所述底部电极上方的压电层以及在所述压电层上方的顶部电极，所述多个换能器中的每一个形成BAW谐振器的一部分并驻留在滤波器中，所述滤波器耦合在输入节点和输出节点之间并且具有形成寄生电容的电场；以及

在所述衬底和所述多个换能器的所述顶部电极中的至少一个之间的平面静电屏蔽体，所述平面静电屏蔽体耦合到接地节点并中断与所述滤波器的所述寄生电容相关联的所述电场以减小所述寄生电容。

2.根据权利要求1所述的BAW滤波器结构，其还包括电耦合到所述平面静电屏蔽体的导通体，其中所述平面静电屏蔽体通过所述导通体接地。

3.根据权利要求2所述的BAW滤波器结构，其还包括定位在所述衬底上方的反射体结构，其中所述导通体延伸穿过所述反射体结构的至少一部分。

4.根据权利要求2所述的BAW滤波器结构，其中所述导通体延伸穿过所述压电层的至少一部分。

5.根据权利要求1所述的BAW滤波器结构，其还包括定位在所述衬底上方的反射体结构，其中所述反射体结构包括多个反射体结构，并且所述BAW谐振器包括多个BAW谐振器，所述多个BAW谐振器中的每一个包括所述多个反射体结构中的至少一个。

6.根据权利要求1所述的BAW滤波器结构，其还包括定位在所述衬底上方的反射体结构，其中所述反射体结构包括多个绝缘反射体和至少一个导电反射体。

7.根据权利要求6所述的BAW滤波器结构，其中所述至少一个导电反射体包括所述平面静电屏蔽体。

8.根据权利要求6所述的BAW滤波器结构，其中所述至少一个导电反射体包括多个导电反射体，所述多个导电反射体中的至少一个包括所述平面静电屏蔽体。

9.根据权利要求1所述的BAW滤波器结构，其还包括定位在所述衬底上方的反射体结构，其中所述平面静电屏蔽体平行于所述衬底的顶部表面并且是以下项中的至少一者：

在所述反射体结构的顶部表面上方，

在所述反射体结构的底部表面上方，或

在所述反射体结构内。

10.根据权利要求1所述的BAW滤波器结构，其中所述底部电极包括彼此物理分离的多个底部电极部分，并且所述多个底部电极部分中的至少一个包括所述平面静电屏蔽体。

11.根据权利要求1所述的BAW滤波器结构，其中所述平面静电屏蔽体包括多个平面静电屏蔽体。

12.根据权利要求11所述的BAW滤波器结构，其中第一平面静电屏蔽体与第二平面静电屏蔽体垂直偏移。

13.根据权利要求1所述的BAW滤波器结构，其中所述平面静电屏蔽体仅通过屏蔽电容电连接到所述滤波器。

14.根据权利要求1所述的BAW滤波器结构，其中所述平面静电屏蔽体的至少一部分定位在所述多个换能器中的一个的至少一部分下方。

15.根据权利要求1所述的BAW滤波器结构，其中所述平面静电屏蔽体不定位在所述多个换能器中的一个下方。

16.根据权利要求1所述的BAW滤波器结构，其中所述平面静电屏蔽体在所述多个换能器中的一对相邻换能器之间延伸。