[发明专利]适用于极低TRIAC调光深度的LED电流纹波消除电路有效

专利信息
申请号: 201811135412.0 申请日: 2018-09-28
公开(公告)号: CN109152144B 公开(公告)日: 2020-07-14
发明(设计)人: 庄华龙;刘羽 申请(专利权)人: 帝奥微电子有限公司
主分类号: H05B45/36 分类号: H05B45/36;H05B45/345
代理公司: 上海宏威知识产权代理有限公司 31250 代理人: 赵芳梅
地址: 226017 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 适用于 triac 调光 深度 led 电流 消除 电路
【权利要求书】:

1.一种用于消除LED驱动系统电流纹波的驱动电路,构建于所述的LED驱动系统上,所述的LED驱动系统包括一LED负载、一MOS管及一恒流控制电路,所述的LED负载连接于所述的MOS管的一漏极与所述的恒流控制电路间,所述的MOS管的一源极接地并连接至所述的恒流控制电路,一电容之一端与所述的恒流控制电路连接,而所述的MOS管的源极则透过一电阻接地GND,其特征在于:所述的驱动电路包括:

一电流纹波控制模块,分別与所述的MOS管的一栅极、所述的MOS管的源极、一低环路响应模块、一LEDN电位检测响应模块、一启动快速响应模块及一调光快速响应模块连接,并连接至所述的电容远离所述的恒流控制电路的一VC端,用以通过调整所述的MOS管的一栅源电压,从而调整所述的MOS管的一导通阻抗,将一前级恒流输出的电流纹波转换成所述的MOS管的漏源两端的电压纹波;

所述的低环路响应模块,又分別与所述的LEDN电位检测响应模块及所述的电容的VC端连接并接地;

所述的LEDN电位检测响应模块,又分別与所述的电容的VC端、所述的MOS管的漏极、以及所述的LED负载远离所述的恒流控制电路的LEDN端连接,用以根据所述的LEDN端的电位来控制流入所述的VC端电流的大小;

所述的启动快速响应模块,用以在前级输出电流由小变大时,增大流入所述的VC端的电流,以增加系统响应速度;以及

所述的调光快速响应模块,用以在TRIAC调光导通角由大变小时,开启所述的VC端对所述的接地的泄电通路,快速降低所述的MOS管的栅源电压,使其适应流过小电流情况;

所述的LEDN电位检测响应模块在所述的MOS管的栅极与漏极之间串联至少一个zener稳压二极管和一个限流电阻;

所述的低环路响应模块,在MOS管栅极和GND之间串联一大阻值的电阻,所述电阻至少1MΩ。

2.如权利要求1所述的用于消除LED驱动系统电流纹波的驱动电路,其中所述的低环路响应模块所设定正常工作时一系统响应周期大于市电电压有效值波动周期。

3.如权利要求1所述的用于消除LED驱动系统电流纹波的驱动电路,其中,所述的调光快速响应模块,在所述LEDN电位检测响应模块的zener稳压二极管两端间并联有一高压二极管。

4.如权利要求3所述的用于消除LED驱动系统电流纹波的驱动电路,其中,所述的调光快速响应模块,并联一栅源短接的高压MOSFET。

5.如权利要求3所述的用于消除LED驱动系统电流纹波的驱动电路,其中,所述的调光快速响应模块,并联一高压双极型晶体管BJT。

6.如权利要求1所述的用于消除LED驱动系统电流纹波的驱动电路,其中,所述的LEDN电位检测响应模块,串联至少一个双极型晶体管BJT和一个限流电阻。

7.如权利要求1所述的用于消除LED驱动系统电流纹波的驱动电路,其中,所述的LEDN电位检测响应模块,串联至少一个栅源短接的金属氧化物半导体场效应管MOSFET和一个限流电阻。

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