[发明专利]一种低介电多孔莫来石透波材料及其制备方法

权利要求书

1.一种多孔莫来石透波材料，其特征在于，所述多孔莫来石透波材料具有闭孔结构，其孔隙率为30～70%；所述多孔莫来石透波材料的平均孔径为21～61μm；所述多孔莫来石透波材料的介电常数为3.29～4.62，介电损耗tgδ为5.34×10^-4～1.41×10^-3。

2.根据权利要求1所述的多孔莫来石透波材料，其特征在于，所述多孔莫来石透波材料的孔隙率为30～51%。

3.一种如权利要求1或2所述的多孔莫来石透波材料的制备方法，其特征在于，包括：

（1）按照所述多孔莫来石透波材料的原料组分称取氧化铝粉体和氧化硅粉体并混合，得到混合粉体；

（2）以分散剂分散混合粉体形成水基陶瓷浆料，并控制水基陶瓷浆料的固含量为50～55vol.%；

（3）向所得水基陶瓷浆料中加入与分散剂具有相反电荷的表面活性剂，利用表面活性剂对所述分散剂进行疏水改性，得到疏水改性的陶瓷浆料；

（4）对所得疏水改性的陶瓷浆料进行机械搅拌发泡得到泡沫浆料，然后注入模具，泡沫浆料在室温下原位固化，再经脱模、干燥、烧结制得泡沫陶瓷。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述分散剂为阴离子型聚电解质分散剂；所述分散剂的加入量为混合粉体质量的0.1～0.2wt.%。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述分散剂为异丁烯-马来酸酐共聚物。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述分散剂为为相对分子质量5500～6500的异丁烯-马来酸酐共聚物。

7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述表面活性剂为直链烷基阳离子表面活性剂；所述表面活性剂的加入量为混合粉体质量的0.25～0.35 wt. ‰。

8.根据权利要求 7所述的制备方法，其特征在于，所述表面活性剂为十二烷基三甲基氯化铵、十四烷基三甲基氯化铵、十六烷基三甲基氯化铵和十六烷基三甲基溴化铵中的至少一种。

9.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述机械搅拌发泡为在600～1000转/分钟的转速下搅拌4～6分钟；所述原位固化为在室温下放置6～18小时。

10.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述氧化铝粉体的中位粒径≤1μm；所述氧化硅粉的中位粒径≤5μm。

11.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在球磨混合过程中进行混合粉体的分散和疏水改性；所述球磨混合的转速为200～300转/分钟，总时间为60～180分钟。

12.根据权利要求3-11中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述干燥的温度为20～30℃，时间为24～72小时；所述烧结的温度为1400～1600℃，时间为2～4小时。