[发明专利]一种主板的保护电路及服务器

说明书

本申请公开了一种主板的保护电路，所述电路包括芯片、第一分压电阻、第二分压电阻、温度敏感元件以及金属氧化物半导体场效应管，第一分压电阻、第二分压电阻以及温度敏感元件连接在芯片和金属氧化物半导体场效应管之间，基于第一分压电阻、第二分压电阻、温度敏感元件以及芯片栅极电压，可以实现金属氧化物半导体场效应管的栅极电压控制，进而实现对金属氧化物半导体场效应管的通断状态的控制，当芯片异常导致发热时，由于温度敏感元件具有负温度系数，阻抗会显著减小，能够拉低金属氧化物半导体场效应管的栅极电压，关闭金属氧化物半导体场效应管，从而实现对主板的保护。本申请还公开了一种服务器。

技术领域

本申请涉及计算机通信技术领域，尤其涉及一种主板的保护电路及服务器。

背景技术

随着信息时代的发展，用户对信息获取的要求越来越高，因此，服务器生产设计厂商的一个研究趋势即为提高服务器的吞吐率。为了提高服务器的吞吐率，服务器的电源供应单元(Power supply unit，PSU)需要提高为服务器主板提供的功率，如此导致服务器主板电流愈来愈大，而电压电流在转换时存在耗损，可以使得主板温度上升。

主板温度上升可以导致主板的性能降低，甚至可以导致主板损坏，进而影响主板正常工作。目前，针对服务器主板，其保护机制主要包括利用芯片(Intergrated Circuit，IC)自身的过电压保护(Over Voltage Protection，OVP)机制和过电流保护(Over CurrentProtection，OCP)机制实现对服务器主板的保护，并未提供基于温度保护服务器主板的机制，如此导致服务器主板常常因温度上升而损坏。

因此，业界亟需提供一种基于温度对服务器主板进行保护的机制。

发明内容

有鉴于此，本申请提供了一种主板的保护电路。通过在金属氧化物半导体场效应管上连接温度敏感元件，当芯片发生异常时，温度敏感元件能够将金属氧化物半导体场效应管栅极电压拉低，关闭金属氧化物半导体场效应管，切断金属氧化物半导体场效应管与主板的电连接，实现基于温度对主板的保护。对应地，本申请还提供了一种服务器。

本申请第一方面提供了一种主板的保护电路，所述电路包括芯片、第一分压电阻、第二分压电阻、温度敏感元件以及金属氧化物半导体场效应管，所述温度敏感元件具有负温度系数，其中：

所述第一分压电阻的第一端连接至所述金属氧化物半导体场效应管的栅极；

所述第一分压电阻的第二端与所述第二分压电阻的第一端连接；

所述第二分压电阻的第二端接地；

所述温度敏感元件的第一端连接至所述金属氧化物半导体场效应管的栅极，所述温度敏感元件的的第二端接地；

所述芯片的栅极与所述第一分压电阻的第二端连接，以便根据所述第一分压电阻、所述第二分压电阻以及所述温度敏感元件控制所述金属氧化物半导体场效应管的开关状态，实现对主板的保护。

可选的，所述温度敏感元件具体用于：

所述芯片的电路发生异常时，将所述金属氧化物半导体场效应管的栅极电压拉低；

则所述金属氧化物半导体场效应管具体用于：

若所述栅极电压小于阈值电压，则关闭所述金属氧化物半导体场效应管。

可选的，所述温度敏感元件具体用于：

所述芯片的电路处于正常工作状态时，将所述金属氧化物半导体场效应管的栅极电压维持在高电位；

则所述金属氧化物半导体场效应管具体用于：

保持开启状态。

可选的，所述温度敏感元件包括热敏电阻。