[发明专利]一种主板的保护电路及服务器有效
申请号: | 201811109132.2 | 申请日: | 2018-09-21 |
公开(公告)号: | CN109327012B | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
发明(设计)人: | 林天祥 | 申请(专利权)人: | 郑州云海信息技术有限公司 |
主分类号: | H02H5/04 | 分类号: | H02H5/04;G06F1/26 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 450018 河南省郑州市*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 主板 保护 电路 服务器 | ||
1.一种主板的保护电路,其特征在于,所述电路包括芯片、第一分压电阻、第二分压电阻、温度敏感元件以及金属氧化物半导体场效应管,所述温度敏感元件具有负温度系数,其中:
所述第一分压电阻的第一端连接至所述金属氧化物半导体场效应管的栅极;
所述第一分压电阻的第二端与所述第二分压电阻的第一端连接;
所述第二分压电阻的第二端接地;
所述温度敏感元件的第一端连接至所述金属氧化物半导体场效应管的栅极,所述温度敏感元件的的第二端接地;
所述芯片的栅极与所述第一分压电阻的第二端连接,以便根据所述第一分压电阻、所述第二分压电阻以及所述温度敏感元件控制所述金属氧化物半导体场效应管的开关状态,实现对主板的保护;
所述芯片的电路发生异常时,将所述金属氧化物半导体场效应管的栅极电压拉低;
则所述金属氧化物半导体场效应管具体用于:
若所述栅极电压小于阈值电压,则关闭所述金属氧化物半导体场效应管;
所述芯片的电路处于正常工作状态时,将所述金属氧化物半导体场效应管的栅极电压维持在高电位;
则所述金属氧化物半导体场效应管具体用于:
保持开启状态。
2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述温度敏感元件包括热敏电阻。
3.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述金属氧化物半导体场效应管包括N型金属氧化物半导体场效应管。
4.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述芯片包括热插拔芯片。
5.根据权利要求1至4任意一项所述的电路,其特征在于,所述电路还包括滤波电容;
所述第二分压电阻的第二端通过所述滤波电容接地。
6.根据权利要求1至4任意一项所述的电路,其特征在于,所述电路还包括电流检测单元,所述电流检测单元分别与主板和所述金属氧化物半导体场效应管连接,具体用于:
检测所述主板的电流,并在所述电流达到预设电流时,关闭所述金属氧化物半导体场效应管。
7.根据权利要求1至4任意一项所述的电路,其特征在于,所述电路还包括电压检测单元,所述电压检测单元分别与主板和所述金属氧化物半导体场效应管连接,具体用于:
检测所述主板的电压,并在所述电压达到预设电压时,关闭所述金属氧化物半导体场效应管。
8.一种服务器,其特征在于,所述服务器包括电源供应单元和服务器主板,其中:
所述服务器主板设置有权利要求1至7任意一项所述的主板的保护电路;
所述电源供应单元为所述主板的保护电路提供电源。
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