[发明专利]一种高效钝化接触晶体硅太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种高效钝化接触晶体硅太阳电池，包括硅基体、正面电极和背面电极，所述硅基体包括前表面和背表面，所述正面电极和背面电极分别对应设置于前表面和背表面上，其特征在于，所述背表面包括光面区域以及与背面电极位置对应的绒面区域。

2.如权利要求1所述的高效钝化接触晶体硅太阳电池，其特征在于，还包括从上至下依次设置于硅基体背表面上的隧穿层、多晶硅薄膜以及氮化硅薄膜层。

3.如权利要求2所述的高效钝化接触晶体硅太阳电池，其特征在于，所述硅基体前表面为绒面结构。

4.如权利要求3所述的高效钝化接触晶体硅太阳电池，其特征在于，还包括从下至上依次设置于硅基体前表面的硼扩散层、钝化薄膜层以及减反射薄膜层。

5.一种如权利要求4所述的高效钝化接触晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将硅基体预处理之后，将硅基体制绒；

(2)制绒之后，将硅基体的前表面和后表面进行硼扩散，使得硅基体的前表面和后表面分别形成硼硅玻璃层；

(3)将硅基体的背表面上的硼硅玻璃层去除，并对硅基体的背表面进行制绒，再在硅基体的背表面上沉积氧化硅层；

(4)在氧化硅层上对应背面电极的位置处印刷阻挡层，然后将阻挡层之外的氧化硅层去除，再将阻挡层去除，并对硅基体的背表面一侧进行抛光处理，抛光处理完成之后，在硅基体的背表面形成光面区域以及与背面电极位置对应的绒面区域；

(5)将硅基体的背表面上的氧化硅层去除，并将硅基体前表面和后表面上均分别依次热氧生长隧穿层以及沉积多晶硅薄膜层；

(6)将硅基体的前表面上的隧穿层以及多晶硅薄膜层去除之后，清洗硅基体，清洗完成之后，在硅基体的前表面上依次沉积钝化薄膜层以及减反射薄膜层，在硅基体的背表面上沉积氮化硅薄膜层；

(7)在硅基体的前表面和背表面一侧分别丝网印刷正面电极和背面电极，其中背面电极丝网印刷于绒面区域对应位置处。

6.如权利要求5所述的高效钝化接触晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，所述阻挡层的宽度大于金属电极的宽度。

7.如权利要求5所述的高效钝化接触晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，所述阻挡层的宽度比金属电极的宽度大20～2000μm。

8.如权利要求5所述的高效钝化接触晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中沉积的氧化硅层的厚度为10～100nm，沉积方式为等离子体增强化学气相沉积或常压化学气相沉积。

9.如权利要求5所述的高效钝化接触晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤(5)中所述多晶硅薄膜层为磷掺杂多晶硅薄膜层或本征多晶硅薄膜。