[发明专利]一种石墨烯增强吸收的金属微纳结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201811096855.3 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110927838A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 王红航;刘黎明;刘凯;迟锋;水玲玲;易子川;张智;屈瑜;张中月 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学中山学院 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528400 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 增强 吸收 金属 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种石墨烯增强吸收的金属微纳结构，其特征在于：所述金属微纳结构是在基底层上从下到上依次设置有第一金属层、二氧化硅层、第二金属层和第一石墨烯薄膜层；所述基底层由硅或二氧化硅材料制成；
所述第一金属层和第二金属层由金或银材料制成。
2.由权利要求1所述的金属微纳结构，其特征在于：所述第一石墨烯薄膜层为1～3层石墨烯薄膜。
3.由权利要求2所述的金属微纳结构，其特征在于：所述第一金属层和第二金属层的厚度均为10～50nm，二氧化硅层的厚度为20～50nm。
4.由权利要求2和3所述任一金属微纳结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤1，准备基底并清洗干净，烘干待用；
步骤2，将步骤1中得到的基底，用双面胶粘在样品台上，用电子束蒸发镀膜的方法垂直蒸镀第一金属层；
步骤3，步骤2中第一金属层蒸镀完成后，置换靶材，继续使用电子束蒸发镀膜的方法垂直蒸镀二氧化硅层；
步骤4，步骤3中二氧化硅层蒸镀完成后，置换靶材，再次使用电子束蒸发镀膜的方法垂直蒸镀第二金属层；
步骤5，将步骤4中蒸镀完成后，在制备好的样品上平铺石墨烯薄膜；
步骤6，将步骤5得到的样品烘干，即制得石墨烯增强吸收的金属微纳结构。
5.由权利要求4所述的制备方法，其特征在于：步骤2中在进行电子束蒸发镀膜时，控制样品台倾斜86°，蒸镀速率为0.5A/s；
所述步骤3中在进行电子束蒸发镀膜时，控制样品台倾斜90°，蒸镀速率为0.5A/s；
所述步骤4中在进行电子束蒸发镀膜时，控制样品台倾斜86°，蒸镀速率为0.5A/s。
6.由权利要求2所述的金属微纳结构，其特征在于：所述第一石墨烯薄膜层上还设有二氧化钛薄膜层。
7.由权利要求1所述的金属微纳结构，其特征在于：所述基底层与第一金属层之间还设有一层第二石墨烯薄膜层。
8.由权利要求7所述的金属微纳结构，其特征在于：所述二氧化硅层上还设有一透明导电薄膜层，在透明导电薄膜层和第二金属层之间设有一介质层。
9.由权利要求8所述的金属微纳结构，其特征在于：所述第一金属层和第二金属层上分别设有触点，通过触点连接外电路；所述外电路电压可调。
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