[发明专利]显示设备在审

专利信息
申请号: 201811093112.0 申请日: 2018-09-19
公开(公告)号: CN109799661A 公开(公告)日: 2019-05-24
发明(设计)人: 禹和成 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 康泉;宋志强
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 漏电极 晶体管 源电极 半导体构件 数据线 子像素电极 显示设备 基准线 栅极线 分压 像素电极 栅电极 延伸
【权利要求书】:

1.一种显示设备,包括:

基底基板;

栅极线,位于所述基底基板上;

第一数据线,与所述栅极线电绝缘并且与所述栅极线相交;

分压基准线,与所述栅极线和所述第一数据线中的每一个电绝缘;

第一开关元件,包括电连接到所述栅极线的第一栅电极、与所述第一栅电极重叠的第一半导体构件、电连接到所述第一数据线并且与所述第一半导体构件重叠的第一源电极、以及与所述第一半导体构件重叠并且与所述第一源电极间隔开的第一漏电极;

第二开关元件,包括电连接到所述栅极线的第二栅电极、与所述第二栅电极重叠的第二半导体构件、电连接到所述第一数据线并且与所述第二半导体构件重叠的第二源电极、以及与所述第二半导体构件重叠并且在第一方向上延伸超出所述第二半导体构件的第二漏电极;

第三开关元件,包括电连接到所述栅极线的第三栅电极、与所述第三栅电极重叠的第三半导体构件、电连接到所述分压基准线并且与所述第三半导体构件重叠的第三源电极、以及与所述第三半导体构件重叠并且电连接到所述第二漏电极的第三漏电极;

第一子像素电极,电连接到所述第一漏电极;以及

第二子像素电极,电连接到所述第二漏电极,

其中在所述显示设备的平面图中,第一重叠宽度是在所述第一方向上并且是被设置在所述第三半导体构件的周边内的所述第三漏电极的最大部分的宽度,

其中在所述显示设备的所述平面图中,第二重叠宽度是在所述第一方向上并且是被设置在所述第三半导体构件的所述周边内的所述第三源电极的最大部分的宽度,

其中所述第一重叠宽度不等于所述第二重叠宽度。

2.根据权利要求1所述的显示设备,其中在所述显示设备的所述平面图中,所述第二子像素电极在所述第一方向上与所述第二半导体构件间隔开。

3.根据权利要求2所述的显示设备,其中所述第三半导体构件在所述第一方向上的宽度大于所述第一重叠宽度并且等于所述第二重叠宽度。

4.根据权利要求2所述的显示设备,其中所述第三半导体构件在所述第一方向上的宽度大于所述第二重叠宽度并且等于所述第一重叠宽度。

5.根据权利要求2所述的显示设备,其中所述第三半导体构件在所述第一方向上的宽度大于所述第一重叠宽度和所述第二重叠宽度中的每一个。

6.根据权利要求1所述的显示设备,其中所述第三半导体构件的侧面直接接触所述第三源电极和所述第三漏电极中的每一个。

7.根据权利要求1所述的显示设备,其中在所述显示设备的所述平面图中,所述第三源电极的端部和所述第三漏电极的端部中的一个位于所述第三半导体构件的所述周边内。

8.根据权利要求1所述的显示设备,其中所述分压基准线的部分在所述第一方向上延伸并且与所述第一子像素电极和所述第二子像素电极重叠。

9.根据权利要求8所述的显示设备,其中所述分压基准线和所述第一数据线直接接触相同组件的相同侧面并且包括相同的材料。

10.根据权利要求1所述的显示设备,进一步包括:位于所述第一数据线与所述栅极线之间的栅极绝缘层,

其中所述第一数据线直接接触所述栅极绝缘层。

11.根据权利要求10所述的显示设备,其中所述第一数据线在所述第一方向上延伸并且与所述第一子像素电极和所述第二子像素电极重叠。

12.根据权利要求11所述的显示设备,其中在所述显示设备的所述平面图中,所述第一数据线的两个边缘被设置在所述第一子像素电极的两个边缘之间。

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