[发明专利]表面波等离子体加工设备

权利要求书

1.一种表面波等离子体加工设备，包括反应腔室、设置在所述反应腔室上方的中心谐振腔、设置在所述中心谐振腔与所述反应腔室之间的介质窗、用于向所述中心谐振腔传输微波的微波传输机构以及微波源机构，其特征在于，还包括边缘增强结构，用于增加所述反应腔室内对应所述介质窗边缘区域的等离子体密度，以补偿由所述中心谐振腔产生的等离子体对应所述介质窗边缘区域与对应所述介质窗中心区域之间的差异；

所述边缘增强结构包括：

环形谐振腔，环绕设置在所述中心谐振腔的周围；并且，所述环形谐振腔和所述中心谐振腔分别覆盖所述介质窗上表面的边缘区域和中心区域；

环形狭缝天线，设置在所述环形谐振腔的下表面与所述介质窗的上表面之间，用于将来自所述环形谐振腔的微波能量耦合至所述介质窗中；

所述微波传输机构用于同时向所述中心谐振腔和所述环形谐振腔传输微波；

或者，所述边缘增强结构包括：

环形谐振腔，环绕设置在所述介质窗的周围；

环形狭缝天线，设置在所述环形谐振腔的内周面与所述介质窗的外周面之间，用于将来自所述环形谐振腔的微波能量耦合至所述介质窗中；

所述中心谐振腔覆盖所述介质窗的整个上表面；

所述微波传输机构用于同时向所述中心谐振腔和所述环形谐振腔传输微波。

2.根据权利要求1所述的表面波等离子体加工设备，其特征在于，所述边缘增强结构包括：

环形谐振腔，环绕设置在所述中心谐振腔的周围；并且，所述环形谐振腔和所述中心谐振腔分别覆盖所述介质窗上表面的边缘区域和中心区域；

环形狭缝天线，设置在所述环形谐振腔的下表面与所述介质窗的上表面之间，用于将来自所述环形谐振腔的微波能量耦合至所述介质窗中；

所述微波传输机构用于同时向所述中心谐振腔和所述环形谐振腔传输微波；

或者，所述边缘增强结构包括：

环形谐振腔，环绕设置在所述介质窗的周围；

环形狭缝天线，设置在所述环形谐振腔的内周面与所述介质窗的外周面之间，用于将来自所述环形谐振腔的微波能量耦合至所述介质窗中；

所述中心谐振腔覆盖所述介质窗的整个上表面；

所述微波传输机构用于同时向所述中心谐振腔和所述环形谐振腔传输微波；

所述微波传输机构包括第一波导、功率分配单元、同轴结构单元、第二波导、波导转换单元和第三波导，其中，

所述第一波导用于将由所述微波源机构提供的微波传输至所述功率分配单元；

所述功率分配单元用于按预定比例将微波分配至所述同轴结构单元和所述第二波导；

所述同轴结构单元用于将微波传输至所述中心谐振腔中；

所述第二波导用于将微波传输至所述波导转换单元；

所述波导转换单元用于转换微波方向，使之与所述第三波导的微波输送方向一致，并将微波传输至所述第三波导；

所述第三波导用于将微波传输至所述环形谐振腔。

3.根据权利要求2所述的表面波等离子体加工设备，其特征在于，通过设定不同的所述预定比例，来调节所述反应腔室中的等离子体对应所述介质窗边缘区域的密度与对应所述介质窗中心区域的密度之比。

4.根据权利要求1所述的表面波等离子体加工设备，其特征在于，所述边缘增强结构包括：

环形谐振腔，环绕设置在所述中心谐振腔的周围；并且，所述环形谐振腔和所述中心谐振腔分别覆盖所述介质窗上表面的边缘区域和中心区域；

环形狭缝天线，设置在所述环形谐振腔的下表面与所述介质窗的上表面之间，用于将来自所述环形谐振腔的微波能量耦合至所述介质窗中；

所述微波传输机构用于同时向所述中心谐振腔和所述环形谐振腔传输微波；

或者，所述边缘增强结构包括：

环形谐振腔，环绕设置在所述介质窗的周围；

环形狭缝天线，设置在所述环形谐振腔的内周面与所述介质窗的外周面之间，用于将来自所述环形谐振腔的微波能量耦合至所述介质窗中；

所述中心谐振腔覆盖所述介质窗的整个上表面；

所述微波传输机构用于同时向所述中心谐振腔和所述环形谐振腔传输微波；

所述环形狭缝天线包括环形板和沿所述环形板的厚度方向贯通所述环形板的多个第一缝隙；

多个所述第一缝隙沿所述环形板的周向环绕至少一圈。